双[4-(2,4-二特戊基苯氧基)邻苯二腈铜]LB膜材料的合成

近年来,随着LB膜研究的进展,成膜材料的种类逐渐增多、其中有关酞菁衍生物LB膜材料的报道较多。本文合成了下述新型结构的化合物:     

硒化锌中的场致发光

讨论了含Mn,Mn和Al,Al或Cl的硒化锌单晶制成的肖特基二极管的场致发光性质。这种二极管在反向偏压下发射一种宽度可变的黄色谱带,其峰值波长在5785(2.14 ev)和6050A之间。从ZnSe:Mn二极管得到的最佳发射在1.9×10~(-3)％的能量效率下亮度为500呎朗伯。在较低的300呎朗伯亮度时得到 3×10~(-3)％的最高效率。在反向偏压下ZnSe:Mn二极管呈现出特征锰发射的窄带,其中心位于5785A。像Al那种外部施主的存在将使亮度和效率降低。这个连同发射向长波的轻微漂移和发射带的加宽一起与自激活发射的起始激发相联系,而自激活发射随施主含量的增加而增加。发现ZnSe:Al场致发光中的自激活发射在6300A(1.97ev),而ZnSe:Cl中为5900A(2.1ev)。仅在肖特基接触下含有一较厚(～200A)绝缘层构成的二极管中观测到正向偏压场致发光。正向场致发光在亮度上至少比反向EL低一个数量级。     

螺吡喃类化合物纳米有序组装体系的结构与光致变色研究

利用LB技术制备纳米有序螺吡喃类化合物光信息储存超分子膜,着重研究了螺吡喃类化合物在不同亚相和pH值时的成膜条件和结构之间的关系,并对膜的稳定性,光致变色特性和抗疲劳能力做了较详细的研究。得到一种粒度均匀,分辨率在微米量级的超分子膜,并提出了作为三维贮储光记忆材料时一种写入和非破坏性读出的方法。     

4-(2-甲氧基乙氧基)-三-4-(2,4-二特戊基苯氧基)酞菁铜的合成及其LB膜特性研究

LB膜的特性在很大程度上决定于成膜分子的结构。铜酞菁衍生物具有大π键电子共轭体系,有明显的光电特性,成膜性好,很适于作LB膜气敏材料。我们在前期工作的基础上,为探明气敏特性与化合物结构间的关系,设计并合成了标题化合物,并对其LB膜的气敏特性进行了研究。     

Mn2+和RE3+在ZnS和ZnSe中的Auger猝灭

在改变MS结势垒区宽度的同时,我们测量了在ZnSe:Mn2+晶体、ZnS:Er3+和ZnS:Sm3+薄膜中的Mn2+、RE3+特征谱的电致发光衰减.测量了高阻和低阻ZnS:Mn2+在变化温度(77K—500K)时,Mn2+发光强度的改变.认为在室温以下,Mn2+和RE3+在低阻ZnS和ZnSe中的辐射跃迁均受到Auger猝灭的影响.     

CdS—CuGaS_2异质二极管的绿色场致发光

用气相淀积方法,在P型CuGaS_2上外延n型CdS,制成了异质二极管。典型的二极管在正向偏压下发绿光,外部量子效率在77°K时为0.1％,在室温时为0.001％。辐射复合是由于电子注入到CuGaS_2中引起的。     

正向偏压的ZnSMIS二极管的蓝色发光

在半导体ZnS衬底上依次蒸发淀积半绝缘ZnS层和Au,Pt或Ag电极制成了MIS器件。对在445到460nm范围呈现正向偏压蓝色电致发光的二极管进行了广泛地研究。具有最佳量子效率的二极管(Ⅰ层厚度约为350至500(?))其光电势垒高度也较大(≈2.4ev),并指出半导体在界面处严重反转。少数载流子的补充来自从金属经由半绝缘层价带的热空穴迁移。当能量相当于势垒高度的热电子进入金属时,在低效MS二极管的发射为等离子体发光。这证实了如下论点:当高能电子去激励时,在金属中将产生象热空穴那样的少数载流子。在大约1.85V的阀值电压以上,观测到形式为B—J~#的亮度—电流密度变化规律(n变化于2.0～1.5之间),其变化范围超过六个数量级。在最大驱动电流下对效率的限制似乎是缺乏足够的载流子。本器件最大的适用电流密度由于有200至500Ω的高串连电阻,一般限制在10到20mA mm~(-2)。     

四－4－（2，4－二特戊基苯氧基）聚酞菁硅氧烷的合成及其Langmuir－Blodgett薄膜

合成了四－４－（２，４－二特戊基苯氧基）聚酞菁硅氧烷，用元素分析、付里叶透射红外吸收光谱、紫外－可见吸收光谱等方法进行了确认．将其制成Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ薄膜，对其气敏特性进行了研究。     

酞菁铜LB薄膜复合光波导的高速双稳特性

对以有机材料酞菁铜的LB薄膜作覆盖层的K~+离子交换玻璃光波导,进行了高速光学双稳特性研究.利用比较波导的输入和输出光脉冲形状法,在532nm光波长得到开关时间为24ps的高速光学双稳特性.     

在反向偏压下肖特基二极管的场致发光

在半导体上用金属整流接触所构成的肖特基二极管,在反向偏压下可有场致发光。作者用硒化锌作了详细的实验,以阐明它的工作机理。电子从金属隧道进入半导体,在耗尽层场中被加速,然后通过在导带内产生辐射跃迁或者碰撞离化,碰撞激发发光中心而发光。 导带内热电子跃迁引起的发光能够给出关于带结构的数据,而这些数据用其他方法是难于得到的。这种发光过程可望制成有较快的上升和下降时间的场致发光二极管,虽然其效率比较低。 发光中心的碰撞离化可以通过倍增测量来研究,其结果与场致发光测量密切相关。本文提出了一种简单的碰撞激发场致发光理论,由此引伸的碰撞离化,已得到证实。这个理论对用作光源的二极管的有关过程和性能,作了定量的描述。 已经用ZnSe制成了在适当电压和电流下用于显示的具有足够光输出的发光二极管。对于用其他材料的有关的工作也进行了描述。