首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  免费   4篇
  国内免费   2篇
物理学   6篇
  2013年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   2篇
  2005年   1篇
  2003年   1篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1
1.
利用密度泛函理论的方法研究了C@Al12Hn(1≤n≤7)团簇的结构和稳定性.n为偶数的C@Al12Hn具有更高的稳定性,大的HOMO-LUMO能隙、H原子的结合能以及高的垂直电离势表明这些团簇具有很高的物理和化学稳定性.最高占据分子轨道电荷密度分析显示,偶数n的C@Al12Hn团簇中,一对H原子倾向于占据相反的位置.变形电荷密度分析表明H原子与主体C@Al12之间的结合表现为共价键的特征.对奇数n的C@Al12Hn都具有1μB的磁矩.  相似文献   
2.
运用Monte-Carlo方法结合半经验理论研究了高速H2+离子轰击C靶诱发二次电子的发射行为与入射角的关系。分别研究了电子发射产额与入射角以及发射统计性与入射角的关系。结果表明,由于H2+上的价电子的影响使得背向电子发射产额不遵守余弦倒数关系。斜入射时候的前向与背向电子产额的比值跟正入射时的情况不同。电子的发射统计跟入射角没有关系。标志偏离Poission分布的值 b,随入射能量的增加而增大。  相似文献   
3.
氧原子在X@Al12 (X=C,Si,P+ )团簇吸附性质的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用密度泛函理论了对X@Al12 (X=C, Si, P+)团簇吸附氧原子特性进行了研究,分别分析了氧原子在三个吸附位置(顶位置、桥位置和空位置)的氧原子吸附能,HOMO-LOMO能隙和电荷转移等性质。结果表明氧原子更倾向于吸附在空位位置。C@Al12和Si@Al12, P+@Al12 在对氧的吸附性质上比较接近。氧在X@Al12(X= C, Si, P+)的吸附性质与Al13−有显著不同。在Al13−O中O是倾向于以桥位形式吸附在Al13−上的。X@Al12(X=C, Si, P+)和Al13−的电子结构有着明显的差异,这导致了O在这些团簇表面不同的吸附形式,表明掺杂可以有效的改变团簇的性质。  相似文献   
4.
卢其亮  黄守国  李宜德 《物理学报》2013,62(21):213601-213601
利用密度泛函理论的方法研究了Mg原子修饰的封闭型六 硼烷B6H62-吸附氢的性能. Mg可以稳定地结合在B6H62-上, 它可以吸附六个氢分子. 电荷转移所导致的Mg周围电场的增强和体系更大的偶极矩使 得MgB6H62-比MgB6H6具有更好的储氢性能, 储氢密度达到11.1 wt%, 氢分子的平均结合能在0.23 eV/H2至0.34 eV/H2之间. 结果表明可以通过控制金属-有机物体系的电荷态来增强电场, 进而改善其储氢性能. 关键词: 6H62-团簇')" href="#">MgB6H62-团簇 密度泛函理论(DFT) 储氢性能 电荷态  相似文献   
5.
卢其亮  赵国庆  周筑颖 《物理学报》2003,52(5):1278-1281
用Monte Carlo方法模拟了高速He+离子入射到C,Cu和Al固体表面所诱发的电子发射.用这个程序计算了背向的电子发射产额,并且同时计算了近程碰撞对总的背向电子发射产额的贡献比例,对C,Cu和Al其值分别是05,055和0.42.对在近程碰撞中产生的高能δ电子(E>10O eV)对背向电子发射行为的影响也进行了详尽地讨论,只有那些能量为几百个eV的δ电子对产额的贡献比例较大.对于C靶,δ电子对电子阻止本领最大值附近的二次电子发射行为会产生影响.计算所得到的电子发射产额与实验结果符合得很好. 关键词: 二次电子发射 Monte Carlo模拟 近程碰撞 δ电子  相似文献   
6.
利用密度泛函理论了对X@Al12 (X=C, Si, P+)团簇吸附氧原子特性进行了研究,分别分析了氧原子在三个吸附位置(顶位置、桥位置和空位置)的氧原子吸附能,HOMO-LOMO能隙和电荷转移等性质。结果表明氧原子更倾向于吸附在空位位置。C@Al12和Si@Al12, P+@Al12 在对氧的吸附性质上比较接近。氧在X@Al12(X= C, Si, P+)的吸附性质与Al13−有显著不同。在Al13−O中O是倾向于以桥位形式吸附在Al13−上的。X@Al12(X=C, Si, P+)和Al13−的电子结构有着明显的差异,这导致了O在这些团簇表面不同的吸附形式,表明掺杂可以有效的改变团簇的性质。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号