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1.
力源 《应用光学》2006,27(1):84-84
美国空军正在研制一种新型武器,以满足对小型精确制导炸弹日益增长的需求。与现有武器(如2000Ib级JDAM)相比,新型炸弹的精确度更高,但毁伤威力较弱,能够更好地协助飞行员攻击城区中的指定目标。每架飞机可携载更多数量的250Ib级小型炸弹(SDB),每次出击可摧毁更多数量的目标。例如,一架F-15Ecc攻击鹰战斗机每次出航可挂载一枚2000Ib级JDAM,而挂载SDB的数量为4枚。  相似文献   
2.
传统高速光电二极管是以带宽和响应率的折衷方案设计的。为获得一个大带宽器件。光产生的载流子越过高场耗尽区的过渡时间必须保持很小,限定了吸收层厚度的上限。对工作在几十千赫的大多数半导体器件来说,这一限制变得与吸收材料的吸收长度相匹敌,从而要求明显牺牲响应...  相似文献   
3.
力源 《应用光学》2005,26(1):24-24
次波长光学元件 ( SOEs)通常是用某种平版印刷术制造的 (虽然有时采用光刻法 ) ,这类光学元件含有一维或二维形式的阵列结构 ,这些阵列改变折射或反射光而不产生零以外的衍射级。这种次波长的光学元件具有 2 0 0 nm级的周期率 ,偏振能达到 97%的透射率或反射率 ,并具有大于40 d B的透射衰减和大于 2 0 d B反射衰减。这种元件的标准尺寸虽然只有 1 .4× 1 .4mm,但还能制成约 1 0mm大小尺寸。目前它主要用在光纤通信领域。这种次波长光学元件是将一种模型压入衬底上的一层光致抗蚀剂中而制成的。采用反应离子蚀刻工艺在衬底上或淀积在衬底上…  相似文献   
4.
力源 《应用光学》2005,26(1):28-28
在不久前结束的第五届国际航空航天博览会上 ,俄罗斯最新研制的军用强击直升机米 - 2 8H模型引人注目。米 - 2 8H是俄罗斯罗斯托夫生产综合体与米里设计局合作开发 ,罗斯托夫直升机厂制造的新一代武装直升机。它装备了先进的夜视系统、机载雷达和发射后不管导弹等 ,从而保证了其拥有无与伦比的优越性能和与国内外同类型直升机的市场竞争力。到 2 0 1 0年 ,俄罗斯空军计划装备 5 0架新型米 - 2 8H直升机 ,它将对提高俄罗斯空军空中打击能力发挥重要作用。拥有“夜间猎手”美誉的米 - 2 8H直升机已在今年 3月完成工厂试飞 ,计划在今年年底前…  相似文献   
5.
力源 《应用光学》2005,26(1):55-55
雷声公司的 Rim- 66C标准导弹 - 2 ( SM- 2 )系统采用美国海军主要对抗飞机和反舰巡航导弹的防御系统。它装备 Aegis舰队的 CE- 47Ticonderoga级巡洋舰和 DDG- 5 1 Arleigh Burke级驱逐舰 ,所有舰船都采用洛克希德马丁公司的 MK41垂直发射系统 ( VLS)。总之 ,SM- 2供 1 3家海军部的 1 60个战斗单位使用。目前部署的是 SM- 2 Blocks / A/ B及 1 999年达到作战能力的增程 RIM- 67B Block 。后者引入了推力转向的 MK72助推发动机 ,并对制导能力进行改进 ,增强了对抗战区弹道导弹和超音速掠海巡航导弹的能力。SM- 2采用由舰载火控…  相似文献   
6.
线性调频脉冲放大系统放大级的进展归结为新材料和波长、大能量、高平均功率。对开发新材料做了大量的工作,其中一些工作对线性调频脉冲放大具有很大的意义。当然,掺钛蓝宝石无疑是最通用的增益材料。这或许是因为掺钛蓝宝石早期就用于线性调频脉冲放大,更可能是因为这...  相似文献   
7.
The electrical properties and thermoelectric(TE) properties of monolayer In–VA are investigated theoretically by combining first-principles method with Boltzmann transport theory. The ultralow intrinsic thermal conductivities of 2.64 W·m~(-1)·K~(-1)(InP), 1.31 W·m~(-1)·K~(-1)(InAs), 0.87 W·m~(-1)·K~(-1)(InSb), and 0.62 W·m~(-1) K~(-1)(InBi) evaluated at room temperature are close to typical thermal conductivity values of good TE materials(κ 2 W·m~(-1)·K~(-1)). The maximal ZT values of 0.779, 0.583, 0.696, 0.727, and 0.373 for InN, InP, InAs, InSb, and InBi at p-type level are calculated at 900 K,which makes In–VA potential TE material working at medium-high temperature.  相似文献   
8.
力源 《应用光学》2006,27(1):61-61
在世界大舞台上,未来导弹将比以往任何时候随时都要应对各种威胁的发生。  相似文献   
9.
力源 《应用光学》1997,18(1):47-47
两家德国大公司,BaimierBenz和Schneider无线电厂,去年组成激光显示技术公司(LDT),大屏幕彩色电视用的半导体激光技术推出者施奈德无线电厂的首席经理认为,这种彩色电视将“预示着大型显示器的新纪元”。当半导体技术还处在研制阶段时,激光显示技术公司于1995年在德国柏  相似文献   
10.
有人认为光电倍增管(PMTs)在10年内将会被淘汰。但是,今天,气体数码读出管仅在博物馆中看到,而PMTs则从油井钻探到细菌检测的广泛应用范围内保持强劲的销售势头。实际上目前的很多应用在1965年是不存在的——它们代表自那时以来包括光电倍增管技术在内...  相似文献   
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