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高质量三维光子晶体的制备及其透射谱研究 总被引:3,自引:2,他引:1
设计了简易的压强可控自组装实验装置,制备了由直径为260 nm的聚苯乙烯(PS)胶体球组成的面心立方光子晶体.分析了压强的变化对光子禁带(PBG)深度及光子带隙边缘(PBE)坡度的影响,确定了合适的压强生长环境(P=5999.5 Pa).利用该实验装置,还进行了光子晶体的小批量制备,一次性制得了三块光子晶体,并从不同角度对每一块光子晶体的透射谱及不同光子晶体的透射谱进行了测量.同一光子晶体不同位置透射谱的重合、同一批次制备的不同光子晶体透射谱的一致性及光子禁带两侧的Fabry-Pérot振荡等均说明:该装置制备的光子晶体在大区域、大面积上是高度有序、均一和平整的;利用该实验装置进行光子晶体的小批量制备是可行的. 相似文献
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高质量三维光子晶体的实验制备及理论分析 总被引:2,自引:0,他引:2
对压强控制自组装法进行了改进,采用了密封硅胶颗粒的强吸水装置,为光子晶体样品的制备提供了一个稳定的温度、湿度和压强环境.将温度、压强分别控制在35 ℃、45 mmHg,利用直径为260 nm的聚苯乙烯胶体球进行了高质量三维光子晶体样品的制备.从理论计算和实验测量等方面对制备的光子晶体样品的结构、质量和性能进行了对比分析,结果表明,利用该实验装置进行光子晶体样品的制备时,可重复性高;制备的光子晶体样品具有较为完美有序的密堆结构,质量较好;在光子晶体样品的Г L方向有深且窄的光子带隙和陡峭的带隙边沿.光子带隙深度为83%,宽度为0.073,带隙边沿陡峭度为8%/nm,这为超快全光开关等先进的光学设备的研究奠定了基础. 相似文献
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F-P标准具是塞曼效应实验仪器的核心元件,正确保养和调试非常重要。分析了F-P标准具的结构和成像原理,介绍了F-P标准具的快速调度方法。从而提高了仪器的使用寿命和师生动手操作等能力。 相似文献
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<正>硒化物半导体具有可控的形貌和相结构,在热电、激光、光学滤波器、太阳能电池和传感器等领域有着广泛应用。1996年,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的研究人员首次提出并验证了过渡金属元素表面掺杂Ⅱ-Ⅵ族半导体晶体作为中红外激光增益介质的可能性。经过表面修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料具有优异的中红外光学性能,已经投入工业生产[1]。2000年,铜掺杂硒化锌(Cu:ZnSe)半导体纳米晶体被首次报道(量子产率2%~4%)[2]。2005年,彭笑刚团队[3]将掺杂方法分为生长掺杂和成核掺杂两种,并采用生长掺杂法制备了高质量的Cu:ZnSe量子点(量子产率10%~30%),该量子点会发出明亮的翠绿色光。然而,上述材料的合成路线对环境有害,在生物医药领域并不适用。2006年,中国科学院某实验室采用宽带隙的ZnSe修饰硒化镉(CdSe)纳米粒子,可以有效地去除CdSe表面缺陷[4]。 相似文献
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