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随着多级单元(Multi-Level Cell,MLC)闪存存储密度的增加,单元间干扰(Cell-to-Cell Interference, CCI)成为影响NAND闪存可靠性的主要噪声。在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型基础上,提出了一种多精度感知的MLC闪存的比特翻转译码方法,该方法通过提高MLC闪存单元感知精度进而得到MLC单元中存储比特的准确对数似然比信息,利用此信息可降低原始错误比特率并且提高比特翻转译码算法的译码性能。仿真结果表明,在MLC闪存信道条件下,高感知精度下的比特翻转译码算法性能明显优于低感知精度下的性能。 相似文献
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