有机电致发光器件材料的椭偏研究

本文报道了用可变入射角椭圆偏振仪（Variable angle incidence Spectroscopic Ellipsometer）测量Alq3,NPB,CuPc,Rubrene薄膜的光学常数，我们采用真空蒸镀法在硅衬底上分别制备了以上四种薄膜，然后我们用可变入射角椭圆偏振仪对四种薄膜进行了测量，测量在大气中进行，光谱范围从200到1000nm（或1.24到5cV），测量角度为65℃、70℃、75℃、80℃，接着，用Wvase32软件对四种薄膜的光学常数随波长（光子能量）的变化函数进行拟合，通过拟合我们得到了真空蒸镀的Alq3,NPB,CuPc,薄膜的光学常数随波长的变化函数及曲线，并且从材料吸收谱的吸收边，我们还得到了这些材料的光学禁带宽度。     

染料掺杂聚合物电注入发光材料的激发态稳定性

染料掺杂聚合物电注入发光材料的激发态稳定性田文晶,马於光,吴英,薛善华,刘式墉,沈家骢（吉林大学分子光谱与分子结构开放实验室、集成光电子学国家重点联合实验室,长春,１３００２３）关键词染料掺杂聚合物,电注入发光,荧光光谱,ＵＶ－Ｖｉｓ吸收谱自英国剑桥...     

有机/聚合物白光电致发光器件

将聚合物材料作为空穴传输材料,以有机小分子蓝光染料1,1,4,4－四苯基丁二烯,绿光染料8－羟基喹啉铝和黄光染料5,6,11,12－四苯基四苯并作为产生白光所需要的三种色源,制备了有机／聚合物白光电致发光器件。这种器件的设计使聚合物的热电稳定性好的优点与有机小分子材料荧光效率高的优点相结合,拓宽了材料的选择范围,更有利于选择能带匹配的材料体系。器件的开启电压为2.5V左右,发光效率在9V时达到最大1.24lm／W,该电压下的亮度达到1600cd/m^2,器件的最大亮度超过20000cd/m^2（18V）,器件最佳色度为（0.319,0.332),这在目前国际上有报道的有机／聚合物白光发光器件中居领先水平。     

LP－MOCVD生长InGaAs／InP应变量子阱的研究

本文研究了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ对不同ｘ值的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ／ＩｎＰ生长条件，并且生长了压缩应变为０．５％三个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构，利用７７ＫＰＬ光谱分析了能级同阱宽的关系，实现最窄阱宽为４．４ｎｍ，最小全半高峰宽为１７．０ｍｅｖ。     

聚合物发光二极管

聚合物发光二极管是８０年代末期发展起来的一类发光二极管，尽管目前尚未来走向实用化，但它的诸多特性已引起愈一愈多的研究工作者的浓厚兴趣，在这篇文章中，我们将主要讨论聚的发光二极管的发光原理，设计方法、制造工艺、发展现状，并指出了为使聚合物发光二极管走向实用化而迫切需要研究解决的问题。     

有机聚合物量子阱结构及其应用

讨论了有机聚合物量子阱结构的生长方法,特性及其在改善发光器件性能和发展电泵有机激光中的应用。     

有机低维结构EL器件的特性

近年来，有机电发光器件已经有了很大进展，寿命也已突破万小时，尽管如此，如何更进一步提高发光效率仍是人们所关注的热点。通过与无机半导体低维结构特性的类比，指出对某些有机材料体系,低维结构同样可以改善器件的性能。     

脊形波导中导模传输与损耗的分析与计算

本文运用有效折射率法把脊形波导化成等效二维平板波导后,再运用微分法求出弱吸收情况下波导模的吸收损耗,其方法简便,精确度高.     

聚合物微环电光开关的模拟和优化

利用耦合模理论、电光调制理论和微环谐振理论,提出一个完善合理的聚合物微环电光开关的器件模型,并给出了可用以分析微环谐振过程的光强传递函数,据此在谐振波长1 550 nm下对该器件进行了模拟和优化.结果表明：微环波导芯截面尺寸为1.8×1.8 μm2,波导芯与电极间的限制层厚度为1.1 μm,电极厚度为0.15 μm,微环半径为15.2 μm,微环与信道间的耦合间距为0.16 μm,光绕微环转300 圈即可形成稳定的谐振状态,此时的谐振时间约为147.4 ps.不加电压时,下信道的插入损耗约为0.8 dB,上信道的串扰约为－26 dB;当取工作电压等于19.7 V为开关电压时,上信道的插入损耗约为0.34 dB,下信道的串扰约为－20 dB.     

一种白光有机电致发光器件的制备

通过对器件结构的优化设计，提高了白光电致发光器件中蓝光成分的发光效率，从而得到了一种较为理想的有机白光电致发光器件。驱动电压为5V时，电流密度J=0．5mA／cm^2，器件的效率达到最大，流明效率为1．92 lm／W，此时器件的发光亮度接近20cd／m^2。色坐标为(x=O．317，y=0．328)。非常接近白光等能点．是色度很好的白光。并且在很大范围内，色度随器件的驱动电压或电流变化不大，当驱动电压变化至15V时。f=232mA／cm^2，色坐标变化至(x=0．338，y=O．353)。在电压为22V时，器件的亮度达到最大，为17 000cd／m^2。此外器件结构相对简单。器件制备的可重复性得到很大程度的改善。