GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能

本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的位错。在有应变超品格过渡层高温生长的量子阱材料中,位错及光致发光性能有明显的改善。     

GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察

本文介绍了用非平行非对称(+、-)双晶X射线形貌术研究Ⅲ—Ⅴ族化合物外延晶体的设置和原理。分析了外延后形成的弯曲样品造成的衍射效应。对分子束外延(MBE)法生长的GaAs/AlGaAs衬底和外延层分别进行了X射线形貌术观察。讨论了外延层中存在的失配位错、生长小丘、沾污和局部微差取向等缺陷。对位错的组态和来源进行了初步分析。本实验结果也表明,有应变超晶格过渡层的MBE法对生长优质的GaAs/AlGaAs外延片是有利的。     

Nd:YAG晶体点阵参数相对变化的研究——X射线双晶形貌法

应用X射线双晶形貌法测定了Nd∶YAG晶体中生长条纹之间点阵参数的相对变化。为解释这种变化,本文从理论上推导了Nd∶YAG晶体中点阵参数变化和Nd~(3+)浓度变化的关系式:△a=0.5089△γ,式中△γ为晶体中钕浓度的变量。把实验中测得的△a=0.0021～0.0027(?)代入公式,得知钕离子浓度变化为0.41～0.53wt.％。因此,我们认为Nd∶YAG晶体中Nd~(3+)的不均匀分布是形成生长条纹的主要原因。