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1.
对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究,并通过退火,增大Fe,Si之间的扩散,分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明,层状结构良好的制备态的多层膜,Fe,Si之间也存在一定程度的扩散,它是影响层间耦合的 主要因素,远远超过了半导体意义上的重掺杂,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现,在一定范围内增大Fe,Si之间的扩散,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化,Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变.
关键词:
Fe/Si多层膜
层间耦合
界面扩散 相似文献
2.
本文通过在0℃、0.5mol·L-1的草酸溶液中阳极氧化高纯铝片的方法制得了阳极氧化铝(AAO)膜,并用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对AAO膜的形貌和结构进行了表征。结果表明,阻挡层AAO膜中大小一致的膜胞在铝/氧化铝界面上排成六方形阵列;有孔层AAO膜中含有高度有序的纳米孔阵列和膜胞阵列,并且孔的直径和膜胞的尺寸都具有较窄的分布。另外,考察了阳极氧化电压对膜胞尺寸、孔径大小、孔密度和膜胞密度的影响,表明在一定的电压范围内,膜胞和孔径都随电压的升高而增大,而孔密度和膜胞密度却随电压的升高而减小。 相似文献
3.
M型钡铁氧体(BaFe12O19, BaM)是一种单轴磁晶各向异性的六角晶系硬磁材料,由于其具有很强的各向异性场,因此在自偏置微波器件领域具有广阔的应用前景。本文采用常温射频磁控溅射法在(000l)取向的蓝宝石衬底上沉积了厚度约为130 nm的BaFe12O19非晶薄膜,然后分别在850 ℃、900 ℃、950 ℃、1 000 ℃对其空气退火处理3 h,得到BaM晶体薄膜样品。采用X射线衍射仪对薄膜样品进行物相及晶体生长取向鉴别,采用扫描探针显微镜和扫描电子显微镜对薄膜样品的粗糙度和表面形貌进行测量和观察,采用振动样品磁强计对样品进行了静态磁性能测试。实验结果表明,退火后的薄膜样品的主晶相为BaM,且具有(000l)取向择优生长,其微观组织结构都表现为C轴垂直于膜面的颗粒状结构。退火温度为900 ℃时所得样品的各项性能达到最佳,其表面粗糙度为2.8 nm,矩形比为0.84,饱和磁化强度为247 emu/cm3,矫顽力为1 528 Oe。 相似文献
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