Mg0.3Fe2.7GeTe2 单晶的磁性及霍尔效应研究

Fe3GeTe2 是一种具有稳定长程磁有序的准二维范德瓦尔斯磁性材料, 范德瓦尔斯材料的稳定性和可调性使其在自旋电子器件的应用方面具有巨大潜力. 本文用助熔剂法生长了 Mg 原子掺杂Fe2 位的 Mg0.3Fe2.7GeTe2单晶样品, 并对 Mg 掺杂Fe3GeTe2 的结构、磁性和输运性质的影响进行了研究. 磁性数据表明 Mg 掺杂后铁磁转变温度不变, 但样品的饱和磁矩减小. 输运性质的测量中观察到各向异性的反常霍尔效应, 与Fe3GeTe2 相比, Mg掺杂后的反常霍尔电阻率减小, 同时各向异性发生了变化.     

Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率的影响

系统地研究了Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶超导电性及各向异性电阻率的影响.Tc满足Tc/Tc,max=1-82.6(ax+b)2,并随Gd含量的增加而下降,这是由于Gd掺杂引起载流子浓度减小所导致.在x≥0.19时,ρab(T)在Tc附近有类半导体行为,dρab/dT随Gd含量增大而增大.ρc(T)呈半导体行为,并可用唯象公式ρc(T)=(a/T)exp(Δ/T)+bT+c加以描述.电阻率各向异性ρc/ρab随掺杂浓度增大而增大.     

Yb3Cu9(OH)19Cl8 单晶的生长和低温磁性研究

本文介绍了新型kagomé 晶格化合物 Yb3Cu9 (OH)19Cl8 单晶的生长及磁性质研究. 利用水热法制备了高品质的 Yb3Cu9 (OH)19Cl8 单晶,X 射线衍射的精修结果表明,Cu2+ 离子在ab 面内形成kagomé 结构,Yb3+ 离子处在kagomé 六角晶格的中心. 磁化率结果表明 Yb3Cu9 (OH)19Cl8 在温度低至2 K 仍没有磁有序转变, 表现出明显的顺磁行为. 居里-外斯拟合结果显示, 磁性离子间具有强的反铁磁耦合相互作用. 温度低至2 K 的比热曲线上没有明显的磁相变行为的出现, 而是表现出典型的肖特基特征     

活性层优化对有机小分子太阳能电池的影响

首先制备了给体(AlPcCl)和受体(C70)比例为1∶1的电池器件并采用不同的温度对电池进行退火处理,发现在120℃的温度下退火电池器件的性能最好,器件的转换效率从2.28;提高到2.47;,增加了8.3;.为进一步优化电池器件的性能,制备了在相同的活性层厚度下不同的给受体比例的电池器件,发现在给受体的厚度之比为1∶5时器件性能最好,电池开路电压为0.8V,短路电流为10.21 mA/cm2,填充因子为46.04;,转换效率为3.71;.     

阴极缓冲层PVP的插入对聚合物太阳能电池性能的影响

研究了聚乙烯吡络烷酮(PVP)作为阴极缓冲层对P3HT/PCBM基聚合物太阳能电池光电性能的影响.PVP分别溶于二甲基乙酰胺(DMAC)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、乙二醇乙醚、丙酮等不同溶剂中,研究了其旋涂过程及其对活性层薄膜的影响.结果表明:PVP作为P3HT∶ PCBM的阴极缓冲层,由于其产生的自集聚效应使活性层与阴极之间形成良好的欧姆接触,有利于电子的传输.当在活性层上面旋涂溶于N-甲基吡咯烷酮(NMP)的聚乙烯吡络烷酮(PVP)的溶液时,聚合物太阳能电池的开路电压Voc为0.57 V,短路电流为Jsc为10.9 mA/cm2,填充因子FF为62;,能量转换效率PCE为3.95;.与未加阴极缓冲层PVP的标准电池器件效率(2.62;)相比,效率提高了50;.     

Bi2222相单晶生长的相关问题研究

从名义组份Ｂｉ２．４Ｓｒ２ＰｒＣｕ２Ｏｙ生长出一种新的Ｂｉ２２２２相单晶，其实际组份测定为Ｂｉ２Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ．用Ｘ射线衍射对单晶的结构进行了表征，并且研究了该单晶生长中Ｂｉ２２０１和Ｂｉ２２１２相的交生等相关问题．另外，如果从名义组份为Ｂｉ２．４Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ出发，得到的却是Ｐｒ２ＣｕＯ４单晶．     

(Pr,La)_(2-x)Ce_xCuO_4单晶的极低温热传导行为

本文研究了Pr1.27La0.7Ce0.03CuO4和Pr2CuO4单晶的低温热导率行为,在极低温下热导率(κ)随磁场的变化显示出低场下的凹陷和高场下的平台现象.这种现象很可能是顺磁离子散射声子的作用引起的,在Pr2CuO4单晶的比热测量结果中,肖特基峰随磁场的变化关系表明样品中确实含有少量的顺磁离子,并且其零场下基态能级存在劈裂.因此,这些顺磁离子很可能是Pr4+离子.该结果表明铜氧化合物高温超导体中声子与自旋的强烈耦合作用.     

Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy单晶的结构与超导电性

用自助熔剂法制备了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ（Ｃｕ１－ｘＭｎｘ）２Ｏｙ（ｘ＝０．０１,０．０５,０．０８,０．１０）单晶。单晶的ｃ轴长度随Ｍｎ含量的增加而减小。Ｒ－Ｔ曲线测量表明,零电阻温度Ｔｃ随ｘ的增大面逐渐下降。对Ｍｎ掺杂量较高的一些单晶,发现其Ｒ－Ｔ曲线在１０５Ｋ左右有一陡降,表明Ｍｎ掺杂量较高的单晶中可能有微量的Ｂｉ２２２３相成分存在。     

三个不同温区下影响Bi_2Sr_2CaCu_2O_y单晶抗磁转变宽度因素的研究(英文)

本文研究了三个不同退火温区下（低于４５０℃、４５０～７００℃和高于７００℃）影响Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ单晶抗磁转变宽度的因素．发现普遍被接受的在７００℃以下退火温区的分界线并不明确．ΔＴｃ的变化强烈依赖于退火条件，即使在２５０℃的较低退火温度下，Ｔｃ和ΔＴｃ也可以通过快速淬火而得到显著改善．然而在７００℃以上、不同条件下退火均得到较宽的ΔＴｃ与已有的报道是一致的，这可能是Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ单晶的本征行为．以上结果可以用额外氧的含量和位置、阳离子迁移引起的结构调整来解释．     

基于迈克耳孙干涉仪的二维光子晶体传感器

在基于自准直效应的二维空气柱型光子晶体迈克耳孙(Michelson)干涉仪的基础上设置一块传感区域,改变传感区折射率从而引起一路光的相位发生变化,导致干涉之后输出光束的能量也随之改变.利用平面波展开法计算得到的等频面确定了入射光的自准直频率范围.运用时域有限差分法分析该传感器的灵敏度最高可达120 nm/RIU,通过单频光入射实现了该传感器的传感模拟.该传感器完全依赖自准直导光,不需构造任何缺陷波导,对制造丁艺的要求大大降低.对于1.55μm的中心工作波长,传感器大小只有几十微米,进一步添加分束器可以实现高度并联传感器探测.