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合成并通过X射线单晶衍射、元素分析及红外光谱表征了配合物[Ni(L)2] (1)和[Cd(HL)(CH3OH)(NO3)2] (2)的结构(HL为2-乙酰吡嗪缩肼基甲酸甲酯)。单晶衍射结果表明,配合物1中,Ni(Ⅱ)离子与来自2个阴离子配体L-的N2O电子供体配位,形成扭曲的八面体配位构型。在配合物2中,Cd(Ⅱ)离子拥有双帽三棱柱配位构型,与1个中性配体HL,2个双齿配位硝酸根和1分子甲醇配位。此外还研究了配合物1和2的荧光及热性质。 相似文献
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合成并通过单晶衍射、元素分析、红外光谱表征了配合物[(Cu)(L)(Cl)]·0.5EtOH·1.5H2O (1)和{[Zn(L)(NO3)]·2CH3CN}n (2)的结构(HL为PMBP缩4-甲基水杨酰肼; PMBP=1-phenyl-3-methyl-4-benzoyl-5-pyrazolone)。单晶衍射结果表明, 配合物1中, Cu(Ⅱ)离子与来自烯醇化脱质子配体L-的2个O原子和1个N原子,及1个氯离子配位, 采取扭曲的平面正方形配位构型。而配合物2中, Zn(Ⅱ)离子采取扭曲的三角双锥配位构型, 与来自L-的NO2电子供体, 1个单齿配位的硝酸根和相邻配体吡唑啉酮N原子配位, 形成沿b轴方向的一维链状结构。在310 nm紫外光激发下, 配合物2在434和459 nm处有很强的荧光发射, 而配体的荧光发射峰在521 nm, 强度明显弱于配合物。此外, 固态配体和配合物2的荧光寿命分别为7.352 8和7.755 6 μs。 相似文献
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拉曼光谱和红外光谱都是重要的现代光谱分析手段,在科研、生产等方面发挥着极大的作用.本文针对开设的实验内容——测量四氯化碳的拉曼光谱和红外吸收光谱,引导学生利用Origin软件(含部分高级功能)处理实验数据,要求学生在查阅大量文献资料基础上,完善自身知识体系的同时对实验数据进行系统科学的分析,使学生的科研素养(如文献检索能力、科技数据的处理和分析能力、由已知探索未知的能力)得到有效训练. 相似文献
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合成并通过单晶衍射、元素分析、红外光谱表征了配合物[(Cu)(L)(Cl)]·0.5EtOH·1.5H2O (1)和{[Zn(L)(NO3)]·2CH3CN}n (2)的结构(HL为PMBP缩4-甲基水杨酰肼; PMBP=1-phenyl-3-methyl-4-benzoyl-5-pyrazolone)。单晶衍射结果表明,配合物1中,Cu(Ⅱ)离子与来自烯醇化脱质子配体L-的2个O原子和1个N原子,及1个氯离子配位,采取扭曲的平面正方形配位构型。而配合物2中,Zn(Ⅱ)离子采取扭曲的三角双锥配位构型,与来自L-的NO2电子供体,1个单齿配位的硝酸根和相邻配体吡唑啉酮N原子配位,形成沿b轴方向的一维链状结构。在310 nm紫外光激发下,配合物2在434和459 nm处有很强的荧光发射,而配体的荧光发射峰在521 nm,强度明显弱于配合物。此外,固态配体和配合物2的荧光寿命分别为7.352 8和7.755 6 μs。 相似文献
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The surface oxidation of silicon (Si) wafers by atomic oxygen radical anions (O- anions) and the preparation of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors on the O-oxidized Si substrates have been examined for the first time. The O- anions are generated from a recently developed O- storage-emission material of [Ca24Al2sO64]^4+·4O^- (Cl2A7-O^- for short). After it has been irradiated by an O- anion bean: (0.5 μA/cm^2) at 300℃ for 1-10 hours, the Si wafer achieves an oxide layer with a thickness ranging from 8 to 32 nm. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) results reveal that the oxide layer is of a mixture of SiO2, Si2 O3, and Si2O distributed in different oxidation depths. The features of the MOS capacitor of 〈Al electrode/SiOx/Si〉 are investigated by measuring capacitance-voltage (C - V) and current-voltage (I - V) curves. The oxide charge density is about 6.0 × 10^1 cm^-2 derived from the (C - V curves. The leakage current density is in the order of 10^-6 A/cm^2 below 4 MV/cm, obtained from the I - V curves. The O- anions formed by present method would have potential applications to the oxidation and the surface-modification of materials together with the preparation of semiconductor devices. 相似文献
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