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缺陷和掺杂对材料的力学、 电子和光学性能均具有重要影响. 六方氮化硼(Hexagonal Boron Nitride, hBN)由于具有a6 eV 的宽带隙, 其中的点缺陷可以在带隙内产生发射波长覆盖近紫外-近红外波段的室温稳定发光的深能级色心, 是量子光源等光学的理想载体. 近年来的实验和理论研究表明, 碳缺陷是h-BN 可见光波段单光子发射的主要可能来源之一; 然而, 当前对h-BN 中碳缺陷的有效制备和精确调控仍存在挑战. 本文报道了一种有效方法, 通过在化学气相沉积(Chemicalvapordeposition, CVD) 过程中预先控制用于催化生长h-BN 的铜箔衬底中的碳含量, 制备得到了不同密度的零声子发射(Zero-phononlines, ZPL)波长位于626±3 nm 的色心; 此外, 我们还观察到气氛退火对色心发光显著的调控作用. 该色心优良的单色性和可调控性有助于推动基于h-BN 的量子光源和光子学器件的潜在应用, 对理解h-BN 中碳缺陷的形成亦具有重要意义. 相似文献
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