负载型CO3[Fe（CN）6]2及CN^—加氢反应的研究

双金属催化剂是一类重要的多相催化剂。其中d电子在催化活性方面起着重要的作用.本文在Co_3[Fe(CN)_6]_2的工作基础上,进一步研究了该配合物在硅胶、氧化铝、以及氧化镁上的热性质,同时考察了CN~-在Co-Fe体系双端基配位的活化加氢,探讨了载体的影响.     

浅谈GSM系统

 GSM原意为移动通信特别小组(GroupSpecialMobile)。该组织成立于1982年,旨在制定一个欧洲移动通信系统的特性规范,以便使整个欧洲采用一个统一的移动通信制式,让移动通信用户在欧洲各国的移动通信成为可能。今天,所谓的GSM,就是泛欧数字移动通信系统(GiobalsystemforMobileCommunication),它有效地克服了模拟制式移动通信系统存在的频谱利用率低、容量小、制式不统一、联网漫游困难、不能提供数据等非话业务以及话音失真、保密性差等缺点。GSM的发展,弥补了有线电话的严重不足,解决了人们在任何地点、任何时间的通信联络。     

漫谈金属探测器

提起金属探测器（Metal Detector），人们就会联想到探雷器，工兵用它来探测掩埋的地雷．金属探测器是一种专门用来探测金属的仪器，除了用于探测有金属外壳或金属部件的地雷之外，还可以用来探测隐蔽在墙壁内的电线、埋在地下的水管和电缆，甚至能够地下探宝，发现埋藏在地下的金属物体．目前还广泛应用于各种大型会议中心、会展场馆、体育场馆、公检法、监狱系统及娱乐场所的安全检查和工厂企业的防偷窃检查，甚至用于对高考禁带物品的检查．本文就来谈谈金属探测器的发展历史和工作原弹．     

浅水中污染物扩散的自适应有限元分析法

介绍浅水中污染物扩散分析中的有限元法.分析包括两个部分:1)流场速度、水面高度的计算;2)根据扩散模型计算污染物浓度场.联合使用了自适应网格技术以期提高解的精度,同时减少计算时间和计算机内存的消耗.通过几个有已知解的实例验证了有限元公式和计算机程序.最后,使用这种联合方法分析泰国Chao Phraya河附近海湾中的污染物扩散.     

大焦深成像系统仿真实验研究

如何增大非相干光学成像系统的焦深是应用光学研究领域的热点问题.本文对采用高次非球面光学掩模板与图像处理相结合增大成像光学系统焦深的新方法进行了深入分析,建立了大焦深成像系统仿真实验模型,并进行了大焦深成像系统仿真实验.实验结果证明了该方法在维持原相对孔径的同时使光学系统在较大的离焦范围内有好的成像质量.实际应用中还要综合考虑模板参量、信噪比等关键因素.     

Analysis of Three Coupled Defects in One-Dimensional Photonic Bandgap Structure

The mutual interaction of three different defects in photonic crystals is studied theoretically. A theoretical model based on the classical wave analogue of the tight-binding （TB） picture is applied to the structure. We obtain analytic expressions for the eigenfrequencies and eigenmodes, from which the transmissions at resonance are derived. Based on this, a new type of the photonic quantum-well structure is investigated and its possible application is discussed. The TB predictions are compared with the transfer matrix method simulation results.     

Laves相贮氢合金及其在Ni／MH电池中的研究进展

Ｌａｖｅｓ相贮氢合金是目前贮氢材料研究与开发的热点之一。本文概述了Ｌａｖｅｓ相合金的结构、贮氢机理、贮氢性能以及它在Ｎｉ／ＭＨ电池应用中的最新进展。     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.