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如何根据患者的差异化需求,撮合医生与患者双方形成合理有效的医疗服务供需匹配,是医疗服务运作管理中重要的研究问题。本文针对医疗服务中医生与患者的实际需求,提出了一种考虑患者预约行为的匹配决策方法。在该方法中,首先依据患者的预约行为及特征分类;然后,通过计算不同情形下医患双方的差异度,获得了医患双方的满意度矩阵;在此基础上,提出了匹配预约患者与医生的E-HR算法,并进一步构建了匹配剩余患者和医生的多目标优化模型,通过模型求解得到最优匹配结果;最后,通过算例说明了本文提出方法的可行性和实用性。 相似文献
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§1.方法与结果设(X,θ)是取值于 R~d×R~1上的随机变量。设已观察了 X 的值为 x,要利用 X 之值 x 去预测θ。假定δ(x)是一个预测函数,且引进了某种损失函数 L(θ,a)(用 a 去预测真值θ时有 L(θ,a)这么大的损失。则预测δ的风险定义为 R(δ)=E[L(θ,δ(X))]。若预测δ~*满足条件 R(δ~*)=(?) R(δ),其中 (?) 意义对一切可能的预测函数取 inf,则称δ~*为 Bayes 预测,R~*=R(δ~*)为 Bayes 风险。若(X,θ)的分布已知,原则上不难 相似文献
4.
给出了MDP-PROLOG++语言的预编译技术,详细论述了预编译程序PPP的总体设计、数据结构、扫描处理以及进程文本创建.该语言已在多层分布并行处理系统Wudp-91上实现 相似文献
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Effect of Different Substrate Temperature on Sb-Doped ZnO Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition on Sapphire Substrates
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Sb-doped ZnO thin films are deposited on c-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition. Hall results indicate that the conductivity of the Sb-doped ZnO thin films is strongly dependent on the substrate temperature. The sample deposited at the temperature of 550°C exhibits p-type conductivity. It gives a resistivity of 15.25Ω・cm, with a Hall mobility of 1.79cm2V-1s-1 and a carrier concentration of 2.290×1017cm-3 at room temperature. The x-ray diffraction indicates that the Sb-doped ZnO thin films deposited in the range of 450-650°C are high c-axis oriented. Low-temperature photoluminescence spectra indicate that the sample deposited at 550°C shows the strong acceptor-bound exciton (A0X) emission. 相似文献
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采用滴注法制备了氧化石墨烯薄膜进行激光光刻,通过显微观察证实了还原态氧化石墨烯的生成,根据薄膜的方阻测试确定了最优的光刻参数。然后,在非晶硅组件电池的背面制备氧化石墨烯薄膜,光刻出平面叉指状电极。5个单节微超级电容的超薄电极进行串联,具有高工作电压,实现了对光伏电能的存储。结果表明该储能器件具有高循环稳定性,50次充放电循环的容量保持率为99.85%。该研究为设计制作用于光伏组件的一体化储能系统提供了新思路。 相似文献
9.
10.
Effect of Different Substrate Temperature on Phosphorus-Doped ZnO Thin Films Prepared by PLD on Sapphire Substrates
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Phosphorus-doped ZnO (ZnO:P) thin films are deposited on a c-plane sapphire in oxygen at 350℃, 450℃, 550℃ and 650℃, respectively, by pulsed laser deposition (PLD), then all the ZnO:P samples are annealed at 650℃ in oxygen with a pressure of 1 × 10^5 Pa. X-ray diffraction measurements indicate that the crystalline quality of the ZnO:P thin films is improved with the increasing substrate temperature from 350℃ to 550℃. With a further increase of the deposition temperature, the crystalline quality of the ZnO:P sample is degraded. The measurements of low-temperature photoluminescence spectra demonstrate that the samples deposited at the substrate temperatures of 350℃ and 450℃ show a strong acceptor-bound exciton (A^0X) emission. The electrical properties of ZnO:P films strongly depend on the deposition temperature. The ZnO:P samples deposited at 350℃ and 450℃ exhibit p-type conductivity. The p-type ZnO:P film deposited at 450℃ shows a resistivity of 1.846Ω·cm and a relatively high hole concentration of 5.100 × 10^17 cm^-3 at room temperature. 相似文献