多重积分Nash平衡点的Lipschitz估计

设F（p，q）和G（p，q）在无穷远点的邻域内是分别关于p和q的近似凸函数，且具有二次增长．考虑由F和G构成的一对定义在Soblev空间中的泛函．本文利用blowup技巧，证明了这样一对泛函的Nash平衡点实际上是Lipschitz连续的．     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

微流控技术筛选酶抑制剂的研究进展

随着近年新合成或提取的化合物大量涌现,药物筛选朝着快速、高效、高通量方向发展。微流控分析技术具有的分析微型化、高通量化、可集成化和良好的生物相容性等特点,为药物的筛选提供了新的方法和技术平台。本文简要介绍了酶抑制剂筛选,重点评述基于微流控技术筛选酶抑制剂的研究进展。     

一类T形树匹配唯一的充要条件

证明：若m∈Ze^ ,则T形树T(1,m,n）匹配唯一当且仅当n≠m,m 3,2m 5.     

8 mm二次谐波回旋速调管放大器双阳极磁控注入电子枪的设计

 计算了8 mm二次谐波回旋速调管双阳极电子枪的设计参数，根据这些参数，采用EGUN软件进行模拟和优化，设计出了一只双阳极磁控注入电子枪，该枪的电子束纵横速度比为1.45，速度零散为5.4%，并讨论了电极形状、磁场分布、电流、控制极电压和第二阳极电压对电子注性能的影响，结果发现电子注对这些影响因子非常敏感，设计中应对它们进行充分优化。     

(FD)~2TD计算金属表面场增强

本文首次利用依赖于频率的时域有限差分法(FD)2TD来计算隐失波激励下金属粒子表面的场增强。首先,利用(FD)2TD计算了三维球形银粒子的表面场增强,与国外文献[11]中用不同方法对此问题的计算结果进行了对比,结果较为相符,说明我们自己编写的(FD)2TD程序是可信的。然后,利用此程序计算了在全内反射条件下,处于介质板上纳米尺度边长的正三角形银粒子表面的场增强,给出了该正三角形银粒子三角端点存在场增强的所谓"热点"并给出了该处的场增强值随样品距离的变化曲线。     

The vortex dynamics of a Ginzburg-Landau system under pinning effect

It is proved that the vortices of a Ginzburg-Landau system are attracted by impurities or inhomo-geneities in the super-conducting materials. The strong H1-convergence for the system is also studied.     

空间电荷场对自由电子激光中电子稳态轨道的影响

本文从三维模型出发,详细地研究了自由电子激光中电子束空间电荷场对相对论性电子稳态轨道的影响,发现考虑空间电荷场的三维效应后,电子稳态轨道出现新的不稳定性区域。 关键词：     

负离子源引出系统束光学的数值模拟

根据在表面-等离子体型负离子源中,负离子主要由转换电极表面产生这一特点,参考正离子源引出系统数值计算程序,建立了负离子源引出系统的数值计算模型和计算程序;对表面-等离子体型桶式负离子源引出系统束光学的性质进行了数值模拟。对计算结果的检验和分析表明,这个计算模型和程序反映了负离子源引出系统束光学的基本特性。