不同LET辐射致DNA集簇性损伤的研究

利用辐照质粒DNA构象变化的分子模型,以DNA糖苷酶Fpg和AP核酸内切酶EndoIII识别并切割辐射所致DNA碱基损伤,将其转换为DNA断裂损伤,通过电泳分析DNA分子构象变化,研究比较γ射线、质子和7Li离子诱发DNA集簇性损伤。50Gy以上高剂量γ辐射对质粒DNA的损伤主要表现为单链断裂(SSB)和很少比例的双链断裂(DSB),并能产生一定水平的集簇性损伤。相比之下,高能质子束和高LET的7Li离子直接所致DNA的断裂损伤以及所产生的集簇性碱基损伤比γ射线的要严重,质子10Gy照射就可诱发明显的集簇损伤。     

基于2-苯基-4-喹啉酸及双咪唑类配体的钴(Ⅱ)配合物的合成、表征、磁性和电化学性质

利用2-苯基-4-喹啉酸、苯-1,4-双(咪唑基-1-甲基)和乙酸钴在二甲基甲酰胺和水的混合溶剂中反应,得到配合物[Co(pqba)2(biyb)](1)(Hpqba=2-苯基-4-喹啉酸,biyb=苯-1,4-双(咪唑基-1-甲基))。采用元素分析、红外光谱、X单晶衍射结构分析、热重分析等方法对配合物进行了表征和结构测定。配合物1属单斜晶系,C2/c空间群。配合物1中的biyb配体采用双齿桥链模式连接金属钴离子首先形成一维"之"字链,通过π…π堆积作用,进一步拓展为二维超分子结构。循环伏安法测试结果说明配合物1的电解过程为准可逆过程。磁化率测量表明,配合物1具有反铁磁性质。     

MOF-1和Tb@MOF-1荧光探针的设计、 合成及对痕量Cr2O72-、 S2O82-离子的识别

采用5-((4-吡啶基)甲氧基)-异烟酸(H₂PLIA)、1,3,5-三(1-咪唑基)-苯(TIB)合成了金属有机骨架[Cd(PLIA)(TIB)]_n (MOF-1),MOF-1是具有理想一维孔道的二维结构化合物,其一维孔道由柔性三角形PLIA^2-配体和刚性三角形TIB配体间隔形成。利用MOF-1 易掺杂的优势,采用后修饰合成策略制备了Tb@MOF-1。对MOF-1 和Tb@MOF-1 进行了基本表征及荧光探针性能研究。2种探针材料具有相同的结构。MOF-1和Tb@MOF-1分别对水溶液中的Cr₂O₇^2-和S₂O₈^2-离子具有较强荧光识别能力,均有响应时间快,稳定性、选择性、灵敏度高的特点。研究了MOF-1和Tb@MOF-1对Cr₂O₇^2-和S₂O₈^2-的荧光识别机理,其不同可能与Tb³⁺离子掺杂有关。     

基于2-苯基-4-喹啉酸及双咪唑类配体的钴(Ⅱ)配合物的合成、表征、磁性和电化学性质

利用2-苯基-4-喹啉酸、苯-1, 4-双(咪唑基-1-甲基)和乙酸钴在二甲基甲酰胺和水的混合溶剂中反应, 得到配合物[Co(pqba)₂(biyb)](1) (Hpqba=2-苯基-4-喹啉酸, biyb=苯-1, 4-双(咪唑基-1-甲基))。采用元素分析、红外光谱、X单晶衍射结构分析、热重分析等方法对配合物进行了表征和结构测定。配合物1属单斜晶系, C2/c空间群。配合物1中的Biyb配体采用双齿桥链模式连接金属钴离子首先形成一维“之”字链, 通过π…π堆积作用, 进一步拓展为二维超分子结构。循环伏安法测试结果说明配合物1的电解过程为准可逆过程。磁化率测量表明, 配合物1具有反铁磁性质。     

新型辐射变色凝胶的紫外辐照研究

将类丁二炔化合物自组装成纳米囊泡后,均匀分散于凝胶载体中,研制出一种新型的辐射变色凝胶剂量计。用电镜观测了囊泡形貌,采用CL-1000型紫外交联仪对凝胶进行辐照,测试并研究了凝胶对紫外辐照的变色响应、辐射后效应、扩散效应等剂量学性能。结果表明:该辐射变色凝胶在5~150mJ/cm2能量密度范围内对紫外线辐照具有良好的响应线性,同时克服了扩散效应、辐射后效应、成型能力差等现有凝胶剂量计的不足。该辐射变色凝胶剂量计适于光学扫描方式测量剂量分布。     

变分模态分解在爆破信号趋势项去除中的应用

爆破工程中,信号趋势项的准确去除对提高爆破振动信号分析的精度具有重要意义。针对经验模态分解（empirical mode decomposition,EMD）识别法存在的模态混叠和端头效应等缺陷,提出了基于变分模态分解（variational mode decomposition,VMD）去除信号趋势项的方法,即VMD法。叙述了VMD法识别爆破信号趋势项原理,并进行了仿真实验,结果表明：趋势项频率对分解效果的影响相对较小,当趋势项频率处于1～5 Hz之间时,频率对分解效果的影响基本保持不变;振幅对分解效果影响显著,且振幅越小,VMD法的分解效果越差。当趋势项振幅超过原始爆破信号最大振幅的1/3时,VMD法分解效果较好。最后,应用VMD法和EMD法对含有趋势项的实测爆破振动信号进行处理,认为相比于EMD法,VMD法处理后的信号基本一致且不存在端点效应,在爆破信号趋势项去除领域中具有更加广泛的适用性。

     

微米光栅加速度计的加工与性能研究

介绍了一种以微米衍射光栅为敏感元件的微机电加速度计敏感头的加工和性能。硅质量块底部加工有铝反射膜,透明玻璃基底上制作有金微米光栅,中间为空气腔,经硅玻璃阳极键合,构成敏感头的核心敏感部件。光源透过透明基底,照射在光栅上,在反射场内会产生一系列衍射级次,且各级次衍射光强与外界加速度之间呈函数关系。完成了微米光栅加速度计敏感头的加工,搭建了实验测试平台,完成了加速度计的灵敏度以及静电驱动性能测试。为未来新型集成式微米光栅加速度计设计和加工提供参考。     

一种用于检测四环素和对硝基苯酚的高稳定性镉（Ⅱ）金属有机骨架

采用水-溶剂热法合成了1例金属有机骨架（MOF）：{[Cd （L）_0.5（4,4''-bpy）_0.5]·H₂O}_n（1）,其中H₄L=（1,1''∶4'',1″-三联苯）-2,2″,4,4″-四羧酸,4,4''-bpy=4,4''-联吡啶）。通过单晶X射线衍射、元素分析、粉末X射线衍射、热重分析以及红外光谱分析对配合物1的结构进行了表征。单晶结构分析表明1为三维结构,属于单斜晶系,C2/c空间群,Cd （Ⅱ）连接L^4-和4,4''-bpy形成二维平面结构,层与层之间通过L^4-连接,构筑成了三维网状结构。该MOF表现出良好的稳定性并且可以通过荧光猝灭法检测四环素（TET）和对硝基苯酚（4-NP）,四环素和对硝基苯酚的检出限分别为0.15和0.062 μmol·L^-1。此外,还研究了其荧光猝灭机理。1可成功应用于延河水样中TET和4-NP含量的测定。     

Enhanced thermoelectric properties of p-type polycrystalline SnSe by regulating the anisotropic crystal growth and Sn vacancy

Thermoelectric selenides have attracted more and more attentions recently.Herein,p-type Sn Se polycrystalline bulk materials with good thermoelectric properties are presented.By using the SnSe_2 nanostructures synthesized via a wetchemistry route as the precursor,polycrystalline Sn Se bulk materials were successfully obtained by a combined heattreating process under reducing atmosphere and following spark plasma sintering procedure.As a reference,the Sn Se nanostructures synthesized via a wet-chemistry route were also fabricated into polycrystalline bulk materials through the same process.The thermoelectric properties of the Sn Se polycrystalline transformed from SnSe_2 nanostructures indicate that the increasing of heattreating temperature could effectively decrease the electrical resistivity,whereas the decrease in Seebeck coefficient is nearly invisible.As a result,the maximum power factor is enhanced from 5.06×10~(-4)W/m·K~2to 8.08×10~(-4)W/m·K~2at 612~?C.On the other hand,the reference sample,which was obtained by using Sn Se nanostructures as the precursor,displays very poor power factor of only 1.30×10~(-4)W/m·K~2at 537~?C.The x-ray diffraction(XRD),scanning electron microscope(SEM),x-ray fluorescence(XRF),and Hall effect characterizations suggest that the anisotropic crystal growth and existing Sn vacancy might be responsible for the enhanced electrical transport in the polycrystalline Sn Se prepared by using SnSe_2 precursor.On the other hand,the impact of heat-treating temperature on thermal conductivity is not obvious.Owing to the boosting of power factor,a high z T value of 1.07 at 612~?C is achieved.This study provides a new method to synthesize polycrystalline Sn Se and pave a way to improve the thermoelectric properties of polycrystalline bulk materials with similar layered structure.