一种确定整周模糊度搜索空间的方法

模糊度搜索空间的大小是影响模糊度解算效率的关键因素之一.针对传统确定模糊度搜索空间的方法较为保守,致使搜索空间过大,提出了一种基于最小二乘模糊度降相关平差法(LAMBDA)的改进方法.首先对目前模糊度搜索空间确定方法给予了介绍和深入的分析比较,评价了这些经典方法的优缺点.在此基础上,定义了搜索空间的一个影响因子η,并结合LAMBDA方提出了确定模糊度搜索空间的修正公式.基于仿真和实测数据对修正方法进行实验,结果表明方法在保证获得期望模糊度组数的前提下,其确定的模糊度搜索空间包含的整数点个数更小,可保证90%以上实际模糊度组数接近于期望值.     

衬底对PTCDA薄膜结构与电荷输运特性的影响

在不同导电衬底(Au,Al和ITO)上制备了PTCDA薄膜,用XRD和AFM技术研究了PTCDA薄膜的结构和表面形貌。结果表明,薄膜中的大部分PTCDA分子平面与衬底不平行,这表明薄膜垂直方向的电流传导将以电子传输为主;在ITO和Au衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列规则,在薄膜垂直方向呈现出较好的电子传输性能;而在Al衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列无序,电子传输性能差。通过制备单层结构有机薄膜器件,研究了PTCDA薄膜垂直方向的电子迁移率。综合应用金属-有机界面的热电子发射理论和有机层体内空间电荷限制传导理论,并考虑电场强度对迁移率变化的影响,对ITO/PTCDA/Al器件的电流密度-电压曲线进行拟合,得到ITO衬底上生长的PTCDA薄膜在垂直方向随电场强度变化的电子迁移率数值。     

基于酞菁铜的有机光敏场效应管

制备了基于酞菁铜(CuPc)的有机光敏场效应晶体管,对器件的光敏特性进行了研究。实验结果表明,基于金源漏电极的器件,在波长655 nm,光强100 mW/cm²的光照下,明/暗电流比约为0.4,光响应度约为2.55 mA/W;而铝为源漏电极的器件,可以获得高达10⁴的明/暗电流比,但光响应度降低为0.39 mA/W。     

Bipolar resistive switching based on bis（8-hydroxyquinoline） cadmium complex：Mechanism and non-volatile memory application

Stable and persistent bipolar resistive switching was observed in an organic diode with the structure of indium-tin oxide (ITO)/bis(8-hydroxyquinoline) cadmium (Cdq2)/Al. Aggregate formation and electric field driven trapping and detrapping of charge carriers in the aggregate states that lie in the energy gap of the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the organic molecule were proposed as the mechanism of the observed bipolar resistive switching, and this was solidly supported by the results of AFM investigations. Repeatedly set, read, and reset measurements demonstrated that the device is potentially applicable in non-volatile memories.     

网络RTK电离层误差研究现状分析

近年来,网络RTK电离层延迟改正成为高精度实时定位中最感兴趣的研究课题之一,对基准站电离层延迟改正和改正数内插算法两个方面的主要研究内容、研究方法和研究进展进行了讨论,并探讨了目前存在的问题及探索性解决方法.