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1.
研究桉树控制授粉后目标性状的基因作用方式是探索其基因重组规律的重要内容。常规的数量统计分析精度往往不高,而DNA分析的专业要求高,且费时费力。该研究利用近红外光谱(NIRs)研究不同基因型桉树杂交种、亲本及杂交种与亲本间近红外光谱信息的关系,探索NIRs用于桉树杂交种与其亲本判别的可行性和准确性。以控制授粉的桉树亲本及其杂交F1代材料为对象,每种基因型从各自田间试验分别选取10个单株,采集树冠中上部新鲜健康叶片。用手持式近红外仪Phazir Rx(1624)采集桉树杂交种与其亲本叶片的NIRs信息。每单株选10片完全生理成熟的健康叶片,避开叶脉扫描其正面光谱5次,以50条NIRs信息的均值代表单个叶片的NIRs信息,最终每个基因型获得10条NIRs信息。对原始NIRs采用二阶多项式S.G一阶导数预处理。预处理后的NIRs用于多元统计分析,首先对桉树杂交亲本和子代样本进行主成分分析(PCA),直观展示不同基因型的分类情况。然后运用簇类独立软模式(SIMCA)和偏最小二乘判别分析(PLS-DA)两种有监督的判别模式验证NIRs用于桉树杂交种与其亲本树种的分类判别效果。PCA结果显示,不同的亲本间、杂交种间及杂交种与亲本间样本的主因子得分可以清晰地将各基因型分开。SIMCA模式判别分析中,桉树杂交种样本到亲本PCA模型的样本距离显示,待判别样本能够形成单独的聚类,且能直观反映两者的遗传相似。PLS-DA判别结果显示,桉树杂交亲本的PLS模型能通过预测其杂交子代的响应变量将其与亲本准确分开。结果表明,桉树叶片的NIRs信息可以准确地反映桉树杂交子代遗传信息的传递规律,NIRs判别模型可以准确地将各种基因型予以区分。因此,NIRs信息不仅可用于桉树杂交种和纯种的定性判别,还可以分析桉树基因重组过程中加性遗传效应的大小,从而为桉树遗传基础分析及其育种改良研究提供理论支撑。 相似文献
3.
采用交换吸附脱色及柱层析新技术,成功地从烟叶中分离和纯化了一种烟草过氧化物酶同工酶(TOPⅠ),并对其进行了一系列光谱特性研究.基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)测得TOPⅠ分子量为21 888.5,等电点pI为3.5;氨基酸组成分析表明TOPⅠ为一含血红素的酸性蛋白酶.光谱学分析揭示,在402 nm处有一典型的Soret带,在498和636 nm处有特征吸收峰(α,β带),酸度和变性剂对TOPI在紫外可见区的特征吸收峰均产生一定的影响,TOP Ⅰ的荧光光谱测定结果说明TOPⅠ分子中含有Trp残基和Tyr残基以及其自身的独特的光谱学特性. 相似文献
4.
本文用变换群理论对运动水平平板混合对流边界层流动的动量、能量和浓度扩散方程进行了分析,得到了与X4/(7-5n)成正比的壁面温度分布和浓度分布,同时壁面运动速度正比于X(3-n)/(7-5n)时存在相似性解.导出了相似性解方程,用四阶Runge-Kutta方法进行了计算,给出了Pr=0.72 和Sc,K1,K2,K3参数下的速度、温度和浓度分布,得出了各参数对流场、温度场的影响。 相似文献
5.
6.
7.
8.
9.
A novel read-only memory (ROM) disc with an Ag11ln12Sb51Te26 super-resolution mask layer is proposed and investigated for the first time to our knowledge. The carrier-to-noise ratio of more than 40 dB could be obtained from small pits (380nm), which are below the readout resolution limit (400nm), in our dynamic setup with a wavelength of 632.8 nm and numerical aperture of 0.40. Dependences of carrier-to-noise ratio on readout power,readout velocity and film thickness are studied. The results show that the optimum film thickness is 20-50nm and the corresponding carrier-to-noise ratio is more than 40dB at readout power of 4mW and readout velocity of 2m/s in our experiment. The super-resolution readout mechanism for this ROM disc is also discussed. 相似文献
10.
Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation
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Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved. 相似文献