芳香性研究的最新进展:M(o)bius芳烃和富勒烯基芳香性全反式[18]轮烯

芳香性反式轮烯结构富勒烯具有高共轭性,是潜在的优良的光能捕获分子.综述了M(o)bius芳烃和芳香性反式轮烯结构富勒烯的合成和性质研究的最新进展,并展望了其今后的发展方向.     

2A12-T6铝合金表面双-(γ-三乙氧基硅丙基)四硫化物薄膜的特性

采用傅立叶变换红外光谱分析了2A12-T6铝合金表面自组装双-(!-三乙氧基硅丙基)四硫化物硅烷偶联剂(SCA)薄膜结构特征,并采用电化学极化曲线评价了薄膜的耐蚀性能.结果表明,铝材表面自然晾干,SCA薄膜分子之间主要通过氢键连接,腐蚀电流密度减小1个数量级以上.120℃的加热处理促进铝板表面通过SiOSi链接而形成SCA网状薄膜结构,并通过在界面上形成SiOAl界面相结构而与铝板表面牢固连接,腐蚀电流密度降低2个数量级以上.SCA乙醇溶液浸泡处理10min比浸泡2s～1min的铝板表面SCA薄膜内氢键缔合羟基要多.     

量子群Uqp(u2)模型对A～190区超形变带研究

用双参数量子群Uqp(u2)理论模型公式对A～190区47条超形变(SD)转动带进行了系统分析. 计算得到的Eγ跃迁谱与实验较好地吻合;按转动带自旋指定的3种方案确定194Hg(1),194Pb(1)的带首自旋,结果与实验一致. 此外,进一步讨论了核软度参数σ1的物理意义,发现一对旋称对偶带的σ1几乎全等.     

金刚石锯片在锯切过程中的受力与失效分析

对金刚石锯片在锯切过程中的受力及弧区内直接参与切削的金刚石数量进行了测量和估算,并分析了节块表面抛光和微破碎金刚石比例与锯片寿命和效率之间的关系,结果表明：单颗粒金刚石的受力远低于其静压强度;其低强度失效的原因是锯切过程中金刚石晶体内产生的热应力。     

PP/PP-g-MAH与铝板粘接界面相的XPS研究

用X射线光电子能谱(XPS)研究铝板/聚丙烯层状复合材料的粘接界面相，提出了粘接界面的化学反应机制.研究发现,聚丙烯(PP)中加入马来酸酐接枝聚丙烯(PP-g-MAH)时，铝板面上Al 2p、O 1s谱线明显向高结合能端移动，表明PP-g-MAH与铝板表面发生了化学反应，形成Al－O－C配位键.配位键的形成使界面粘接强度明显提高. PP中不含PP-g-MAH时，铝板面上Al 2p、O 1s谱线处于低结合能端，聚丙烯未与铝板表面形成化学配位作用.     

一种求解第一类Fredholm积分方程的改进Tikhonov正则化方法

基于紧算子的奇异值系统理论,构造了一种新的正则化滤子函数,从而提出了一种改进的Tikhonov正则化方法,并且证明了解的收敛性及其渐进最优阶估计.通过两个数值算例,验证了改进Tikhonov正则化方法对于第一类Fredholm积分方程求解的有效性和优越性.     

冷蒸汽原子吸收光谱法测定四种中成药中汞含量

利用测汞仪测汞具有操作简便、灵敏度高、准确性较好等优点,测定了乌鸡白凤丸、增长乐、健儿三宝冲剂、龙牡壮骨冲剂四种中成药中的汞。若参照许多国家和地区药中汞限定小于０５×１０－６标准,增长乐汞含量超标,其他三种含量都较低。此测定方法适用于各种中成药中微量汞的测定。     

“全同”超形变核转动带的量子群Uqp(u2)模型的理论分析

利用量子群U_qp(u₂)模型计算了^{191-192-193-194Hg}超形变(SD)带的γ跃迁能E_γ,运动学转动惯量J⁽¹⁾和动力学转动惯量J⁽²⁾,顺排角动量之差(i=ω(J⁽¹⁾(^{191-192-193-194}Hg)-J⁽¹⁾(¹⁹²Hg))),并与实验值进行比较得到了满意的结果,此外,还利用U_qp(u₂)模型的形变参量与核软度的关系式,计算出各SD带的核软度参数σ₁与唯象分析给出的组态结构进行了比较分析.     

苝酰亚胺衍生物在肿瘤治疗中的应用进展

目前恶性肿瘤已成为人类因疾病死亡的主要因素。化疗是当前肿瘤治疗的主要方式之一,然而常用的化疗药物存在诸多缺陷,如副作用大、易产生耐药性、难以监测等。开发高效低毒治疗药物是当前肿瘤治疗的研究热点之一。通过特定的纳米药物载体可提升药物在病变区域的有效浓度,提高杀伤肿瘤细胞效率,降低抗肿瘤药物毒副作用。苝酰亚胺衍生物(perylenediimides derivatives,PDI)是一种稳定性高、荧光效率优异的纳米分子材料,且易修饰,可连接特定基团,增强其生物兼容性并行使多种功能,可作为药物载体、抗肿瘤药物、荧光示踪剂等用于肿瘤诊断和治疗。本文综述PDI在药物载体、肿瘤细胞抑制剂和荧光示踪剂三方面的研究进展。为PDI应用于临床总结理论研究成果,并进一步指导其实际应用工作的开展。     

密度泛函理论预测微量元素在Al(100)表面的偏聚

通过周期性层状模型, 利用密度泛函理论预测了微量杂质元素原子M(M=Fe, Si, Mg, Cu, Mn, Ga, In, Sn, Pb)在高纯铝箔(100)表面的偏聚趋势. 计算得到表面偏聚能与已有实验结果相吻合. 表面偏聚能由表面取代的微量元素原子M的位置、原子半径和金属的表面能决定. 当表面偏聚能为负时, 微量元素原子M在表面偏聚, 反之则杂质原子不发生表面聚集. 微量元素原子在铝箔表面偏聚可以使铝箔表面产生大量的缺陷和位错, 它们在铝箔腐蚀时容易成为腐蚀的形核起点, 进而增加铝箔的腐蚀发孔密度.