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We study the decoherence process of an exact solvable model that consists of a central spin-1/2 coupling to the surrounding anisotropy spin-1/2 chain in transverse fields. The Loschrnidt echo is calculated to study the character of decoherence with different degree of anisotropy. Our results show that the degree of anisotropy γ greatly affects the decoherence process of the central spin-system when the spin chain is in weak transverse fields, but it gives weak effect in the strong transverse field. The decoherence process of the central system changed dramatically along the line of the critical points, and this may be explained as the reflection of quantum phase transitions. 相似文献
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The behavior of a two-level entangled atom in an optical field with circular polarization is studied in this paper. The interaction of an optical field and one of the entangled atoms is analyzed in detail. A general solution of the SchrAo¨Gdinger equation about the motion of the entangled atom is obtained. The properties of the action are dependent on the initial state of the atom. By detecting the entangled atom out of the field, we can obtain the state of the other atom moving in the field. It is shown that the state of the atom out of the field will influence the energies of the split-levels of the atom in the field. 相似文献
5.
本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。
关键词: 相似文献
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本文中对一个斜群环为Dubrovin赋值环给出了一系列等价刻画,并且刻画了一个Dubrovin赋值斜群环的所有素理想. 相似文献
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技术的动态发展和企业间的竞争对企业新产品策略有很大影响,直接决定新产品的引进周期。本文在产业技术动态变化的随机环境下构建随机动态规划模型,关注产业技术进步、投资成本和产品市场竞争等影响因素,探讨企业进行新产品引进的周期选择,对新产品引进的周期和质量决策进行方法设计和应用举例。利用随机动态规划模型得出新产品引进的最优时间周期,用算例分析技术进步和产品研发成本对企业引进周期策略的影响,采取策略迭代的方法进行求解,发现技术进步较快时企业的新产品引进步伐也较快,研发成本的提高使企业的新产品引入步伐降低。 相似文献
9.
The possible defect models of Y^3+:PbWO4 crystals are discussed by defect chemistry and the most possible substituting positions of the impurity Y^3+ ions are studied by using the general utility lattice program (GULP). The calculated results indicate that in the lightly doped Y^3+ :PWO crystal, the main compensating mechanism is [2Ypb^+ + VPb^2-], and in the heavily doped Y^3+ :PWO crystal, it will bring interstitial oxygen ions to compensate the positive electricity caused by YPb^+, forming defect clusters of [2Ypb^+ +Oi^2-] in the crystal. The electronic structures of Y3+ :PWO with different defect models are calculated using the DV-Xα method. It can be concluded from the electronic structures that, for lightly doped cases, the energy gap of the crystal would be broadened and the 420nm absorption band will be restricted; for heavily doped cases, because of the existence of interstitial oxygen ions, it can bring a new absorption band and reduce the radiation hardness of the crystal. 相似文献
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