单粒子势模型下价核子的密度分布

依据实验事实，利用单粒子势模型，计算了一些核态外层价核子的密度分布.计算给出了价核子在核外部分布的概率和贡献，以此作为晕核态的判断标准.通过研究均方根半径随结合能变化的规律，指出了晕核态存在的条件，尤其是质子晕核态存在的条件.这些对判断和寻找晕核态有现实的指导意义. 关键词： 单粒子势模型 价核子 密度分布 中子晕核态 质子晕核态     

27,28P+28Si总反应截面增强及可能相关的机制

测量了27,28P和相应同中子异位素在28Si靶上的中能反应截面.测得N=12和13同中子异位素的反应截面在Z=15处突然增大.对Z≤14同中子异位素和28P的实验数据结果可以用改进的光学极限近似的Glauber理论很好地描述.28P的反应截面能够用扩大核芯以改进的Glauber理论来解释.但是,用改进光学极限和少体近似的Glauber理论却低估了27P的实验数据.理论分析表明,扩大的核芯加质子晕可能是响应27P+28Si反应截面增强的机制. The reaction cross sections of~(27,28)P and the corresponding isotones on Si target were measured at intermediate energies. The measured reaction cross sections of the N=12 and 13 isotones show an abrupt increase at Z=15. The experimental results for the isotones with Z≤14 and~(28)P can be described well by the modified Glauber theory of the optical limit approach. The enhancement of the reaction cross section for~(28)P could be explained by the modified Glauber theory with an enlarged core. Theoretical ana...     

Geometrical optics-based ray field tracing method for complex source beam applications

Due to the fact that traditional ray field tracking approaches require a large number of geometrical optical(GO) ray tubes,they are very inefficient in many practical applications.An improved ray model scheme for a complex source beam(CSB) tracking technique is proposed in this paper.The source field can be expressed by a superposition of CSBs,then every CSB basis function has a Gaussian-type amplitude distribution and is suitable for replacing a GO ray tube in the ray tracing approach.The complex phase matching technique is adopted to find the reflected beam in the reflection point where local approximation is used to represent the curved surface in its neighborhood.A new solution to multiple reflections using the conventional right-handed reflected system is used to track the field easily.Numerical results show the accuracy of the proposed method.     

A picosecond widely tunable deep-ultraviolet laser for angle-resolved photoemission spectroscopy

We develop a picosecond widely tunable laser in a deep-ultraviolet region from 175 nm to 210 nm,generated by two stages of frequency doubling of a 80-MHz mode-locked picosecond Ti:sapphire laser.A β-BaB2O4 walk-off compensation configuration and a KBe2BO3F2 prism-coupled device are adopted for the generation of second harmonic and fourth harmonics,respectively.The highest power is 3.72 mW at 193 nm,and the fluctuation at 2.85 mW in 130 min is less than ±2%.     

喷流冷却复合陶瓷薄片激光器的热特性仿真分析及实验研究

为分析喷流冷却复合陶瓷薄片激光器的热特性,设计用于冷却复合陶瓷薄片的喷流冷却系统.利用湍流换热理论和计算流体动力学仿真方法建立喷流冷却复合陶瓷薄片激光器的流固耦合热仿真模型,定义评价其冷却能力和冷却均匀性的定量参数.根据该仿真模型得到喷流冷却系统的最优设计参数,并进行实验验证.使用163孔喷板,流量为0.2kg/s,入口温度为20℃,在1200 W泵浦时获得359 W激光输出功率,并测得复合陶瓷薄片上表面的最高温度为92℃.激光输出功率与复合陶瓷薄片上表面温度均与泵浦功率呈近似正线性关系,且温度的实验值与仿真值相符度较高.     

退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响

采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列. 利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响. 结果表明, TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态, 晶化前由于自建场较弱, 束缚激子态能在正负电场作用下发生不对称偏转; 晶化后, 晶体结构从非晶态变为晶态, 自建场增强, 束缚激子态对正电场敏感并表现出明显的光伏响应, 而在负电场作用下束缚激子态没有任何光伏响应.     

CuS/TiO2纳米管异质结阵列的制备及光电性能

利用水热反应制备了CuS/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段表征了异质结阵列的表面形貌和晶体结构.电流-电压曲线结果表明,CuS/TiO2纳米管异质结阵列具有明显的整流效应.根据表面光电压谱和相位谱,在376～600 nm之间,CuS/TiO2纳米管异质结阵列表现为p型半导体特征,电子在表面聚集;在300～376 nm之间表现为n型半导体特征,空穴在表面聚集;在376 nm处异质结阵列的表面光伏响应为零.CuS/TiO2和CuS/ITO之间界面电场的不同导致异质结在不同波长范围内表面电荷聚集的差异.光电化学性能测试发现,以CuS/TiO2纳米管异质结阵列为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G,100 mW/cm2标准光强作用下具有0.4%的光电转换能力.     

超临界流体技术应用进展

超临界流体技术具有许多传统技术所没有的快速、高效、低能耗、污染少等优点。本文综述了其在分离、分析、材料制备和作为反应介质等方面的应用现状。     

Determinacy—A3是Co—Np完全的

群试(group testing)方法首先由Dorfman在第二次世界大战期间提出,当时是出于征兵验血的需要。现在,群试方法已应用于多门学科,诸如计算机科学,组合学及统计学等。可以把群试问题简述如下:设N是一个含有n个元素的集合,记为N={1,…,n},在N中有一些“坏”元素,我们试图通过一系列试验把全部“坏”元素找出来,如何使试验次数最少?我们把全体“坏”元素集称为样本,所有可能的样本形成样本空间。在这篇     

近垒能区6Li+208Pb熔合激发函数测量

测量了6Li+208Pb熔合反应近垒能区全熔合截面,并与考虑非弹道耦合和不考虑耦合的CCFUS程序计算做了比较. 结果表明在垒上能区,破裂使熔合截面减小,在垒下能区,破裂对熔合截面的影响基本上可以忽略.