排序方式： 共有4条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1
1.
共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能 总被引：2，自引：0，他引：2
采用共溅射法在ITo/玻璃基片上沉积CdTe掺Nd薄膜，并利用XRD和阻抗测试研究薄膜的结构和电导性能，结果表明，适当Nd掺入可以改善CdTe薄膜结晶特征和电导性能。 相似文献
2.
采用丝网印刷方法制备了不同配比的ＺｎｘＣｄ１－ｘＳ多晶薄膜及异质结太阳电池，并利用Ｘ－射线衍射，光吸收分析技术和四探针测电导方法研究了薄膜的结构和性质，以及电池性能。 相似文献
3.
采用共溅射方法制备了Cu-In合金膜，并讨论了Cn-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响，结果显示，Cu－In合金膜仅有单峰、多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变，用费－桑理论对Cu-In合金膜的电学性质进行了分析，临界厚度的讨论结果表明，溅射3－4min是面电阻的转变点，而电学参数分析也给出相同的结果。 相似文献
4.
用磁控射频溅射方法制备 Indium- Tin- Oxide(ITO)薄膜 ,研究了基片温度对薄膜结构、光、电性质的影响 .基片温度 41 0°时 ,结晶最好 ,相应的电学性质最优 ,并且解释了电学性质随结构变化的微观原因 .样品在可见光谱区的平均透过率超过 80 % ,受基片温度影响不大 ,确定薄膜的光能隙为 3.55ev 相似文献
1