掺杂合成纳米WO3

掺杂SiO2的WO3粉体对NOX、NH3等多种气体十分敏感,可用于某些特定场合和环境监测方面[1,2]。本文以钨酸铵和硅酸乙酯为原料,分别采用固相法和沉淀法制备了不同掺杂量的SiO2 WO3纳米粉体,并对其进行了XRD,TEM表征。1　实验部分1 1　仪器与试剂德国布鲁克D8X 射线衍射仪;日本电子公司JEM 100SX型透射电子显微镜;天津卫东电炉厂RJX 5 13型马弗炉;上海司乐仪器厂85-2型恒温磁力搅拌器。钨酸铵(NH4)5H5[H2(WO4)6]H2O(化学纯);硅酸乙酯(C2H5O)4Si(分析纯);无水乙醇CH3CH2OH(分析纯);盐酸HCl(分析纯)。1 2　固相法制备WO3…     

Bi_2O_3对MnCoNiO基NTC热敏半导体陶瓷显微结构和电性能影响

采用Bi2O3作烧结助剂,研究了Bi2O3含量,烧结温度对MnCoNiO基NTC热敏半导体陶瓷显微结构与电性能。结果表明:添加0.25 wt%~1.5 wt%Bi2O3可以显著促进烧结,烧结温度可降低至1000℃。随着Bi2O3含量的增加,陶瓷样品的粒径先减小,后增大,含有1.0wt%Bi2O3的样品晶粒最大,伴随着显微结构的变化,材料的电阻率和材料常数(B)先减小,后增大;烧结温度对上述材料体系的电性能有着较大的影响,其影响主要来自于烧结温度对晶粒大小和体系内部阳离子分布的改变。     

WO3纳米材料的H2S气敏特性

用于检测微量H2S气体的SnO2元件具有相当高的灵敏度,但响应—恢复时间较长,选择性的提高也受限制。本文用化学沉淀法合成了xwt.%SiO2-WO3(x=0,3,5,10,15)纳米粉体,研制出一系列烧结型气敏元件,工作温度为180℃,掺杂量为5％的气敏元件对H2S有很高的灵敏度和选择性,响应—恢复快,而且工作温度较低,有较好的应用价值。