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通过镁离子内扩散铌酸锂单晶光纤,以改变晶纤表层的折射率,首次在国内实现了沿不同轴向生长、不同掺杂的铌酸锂单晶光纤的芯-包层波导结构。通过匹配扩散温度、扩散时间、MgO膜厚等扩散参数及选择合适的晶纤直径,实现了晶纤具有阶跃和抛物折射率分布的包层,并对包层晶纤的模式特性进行了观察,得到低次模传输。 相似文献
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利用MgF2作为扩散源进行镁离子内扩散LiNO3单晶基片的研究.经电子探针显微镜分析表明,镁的扩散层镁离子浓度分布具有近似半抛物形和阶跃形分布,并得到镁的激活能为104KJ/mol.X射线衍射分析发现,当镁离子内扩散超过一定程度时,在镁的扩散层出现具有LiNb3O8的物相结构,并发现该物相结构的出现与LiNO3体内锂离子的外扩散和扩散表面氟离子的存在有关.由扫描电子显微镜观察到氟离子以LiF的形式出现,并随着扩散程度的增大,挥发和脱离开扩散层表面.
关键词: 相似文献
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通过镁离子内扩散方法,实现了沿α轴向生长的掺镁汝铌酸锂单晶光纤具有阶跃和抛物折射率分布的芯-包层波导结构。对包层晶纤的损耗进行了测量,测得其耗为1.80dB/cm,即比包层前晶纤损耗降低了约6倍。对包层晶纤的传输模块进行了观察,得到了低次模模传输的好结果。 相似文献
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