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1.
由于金刚石与Si有较大的表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核困难,而负衬底偏压能够增强金刚石在镜面光滑Si表面上的成核,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.本文分析衬底负偏压引起的离子轰击对Si表面产生的影响之后,基于离子轰击使得Si衬底表面产生了微缺陷(凹坑)增大了金刚石膜与Si衬底结合的面积,理论研究了离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响.
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2.
利用Zn粉和Te粉为原材料,通过水热法在160℃下合成了ZnTe纳米粉,并用X射线衍射仪、x射线能谱仪、透射电子显微镜和显微Raman光谱对其进行了表征.X射线衍射谱表明合成的ZnTe具有闪锌矿结构.X射线能谱给出的结果表明合成的ZnTe中主要元素是Zn和Te,并含有杂质O.透射电子显微镜照片显示出合成的ZnTe纳米粉...
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3.
用CH
4,NH
3和H
2为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在不同偏压电流的条件下制备了碳纳米尖端,并用扫描电子显微镜和显微Raman光谱仪对碳纳米尖端进行了研究.结果表明碳纳米尖端是石墨结构,随着偏压电流的增大,碳纳米尖端的顶角减小,生长速率增大.结合有关等离子体和溅射的理论,分析讨论了碳纳米尖端的形成和碳纳米尖端的生长随偏压电流的变化.
关键词:
碳纳米尖端
等离子体
化学气相沉积
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