高结晶度镍铝水滑石的制备及其电化学行为研究

水滑石(Hydrotalcite,简称HT)是一类层状结构的阴离子粘土,它具有碱性特征、微孔结构、记忆效应及金属离子的同晶可取代性和层间阴离子的可交换性.此外,由于它具有材料廉价易得,独特的离子交换性能,很好的热和化学稳定性等特点,使其在电分析方面作为安培传感器~([1])、电位传感器~([2])、生物传感器~([3])以及作为超级电容器的电极活性材料~([4-6])刮都有潜在应用价值.     

射频溅射功率对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响

采用磁控溅射技术在不同溅射功率下制备了ZnO薄膜.研究了薄膜的沉积速率、光电特性以及不同功率条件下制备的ZnO薄膜对HIT电池开路电压的影响.结果表明:在溅射功率为200 W时制备的薄膜,具有良好的导电性和光透过性;将其应用到HIT电池中,得到的开路电压最高.该研究对提高HIT电池性能具有一定的参考意义.     

稠环烃有机半导体禁带宽度的人工神经网络预报

稠环烃有机半导体的禁宽度与其分子构裂以及π电子数有关。将可表征分子几何结构特征的拓扑指数－顶点复杂度信息指数和π电子数作为人工神经网络的输入特征量，利用经已知样本集训练的人工神经地稠环烃有机半导体的禁带宽度进行预报，预报结果与实测结果符合较好，表明人经神经网络是进行定量结构－性质或定量结构－活性相关性研究的一种有效方法。     

氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池

本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80 nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩最终实现选择性发射极.丝网印刷腐蚀浆料开窗相对于激光熔融、等离子刻蚀和光刻等方法,具有高的产量、设备投资和运营成本低等优势,容易在现有生产线上实现.最后对比了选择性发射极晶体硅太阳电池和常规太阳电池的电性能和光谱响应,制备的选择性发射极晶体硅太阳电池的短波响应优于常规晶体硅太阳电池,效率提高了0.3;.     

聚乙烯-g-聚苯乙烯对线性低密度聚乙烯/聚苯乙烯共混物机械性能和发泡行为的影响

以通过开环易位聚合、加氢反应和原子转移自由基聚合技术结合制备的聚乙烯-g-聚苯乙烯(PE-g-PS)作为增容剂,研究了加入不同PS支链长度的PE-g-PS对于线性低密度聚乙烯/聚苯乙烯(LLDPE/PS)共混物的机械性能和发泡行为的影响。 以典型组成m(LLDPE):m(PS)=70:30共混物为例,考察了PE-g-PS对共混物拉伸性能的影响。 相对于二元共混物,增容剂的加入使得断裂伸长率、拉伸强度和屈服强度皆提高,且含长PS支链的增容体系提高更明显。 采用超临界CO₂釜式发泡工艺,考察了PE-g-PS中PS支链长度对共混物发泡行为的影响。 结果表明,相对于短PS支链体系,加入PE-g-PS_1.59k(PS相对分子质量为1590)后的泡孔结构更加均一,完全没有“缝隙”形貌的出现。 当发泡温度降至80 ℃时,即使存在LLDPE发泡空间限制作用(LLDPE无法发泡),加入支链长度更长的PE-g-PS_1.59k后泡孔分布也更加均一。