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Photoacoustic imaging(PAI) has been used to characterize the spatial and quantitative features of lipid-rich atherosclerotic plaques with high sensitivity and specificity. In this Letter, we first validate that the ultra-low temperature and formaldehyde treatment have no effect on photoacoustic characteristics of the artery samples.Comparative experiments between the PAI and histological results demonstrate that the ultra-low temperature or formaldehyde treatment has few effects on the PAI of the lipid-rich atherosclerotic plaques; the lipid relative concentration and the lipid percentage by PAI hold high correlation with histology. 相似文献
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如何实现高精度的测量是现代制造业及微电子技术领域的热点问题之一. 基于微纳米测头的三坐标测量机是当前实现高精度测量的重要手段. 随着测量尺寸的减小, 常用的纳米/微纳尺度的测头与待测表面之间形成静态接触, 其表面相互作用成为了影响其测量精度和可靠性的关键因素之一. 本文基于一种触发式振动测头, 研究了其动力学模型, 并通过对测头纳米尺度表面相互作用的理论分析及数值模拟, 确立了测头振动参数与表面相互作用之间的关联. 实验研究表明, 参数优化后的谐振微纳测头能有效抑制表面作用带来的干扰, 提高测量精度. 相似文献
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分别在苏打石灰玻璃、Mo箔、无择优取向的Mo薄膜以及(110)择优取向的Mo薄膜四种不同衬底上,采用共蒸发工艺沉积约2 μm厚的Cu(In,Ga)Se2薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响.在以上四种衬底上沉积的Cu(In,Ga)Se2薄膜的(112)衍射峰强度依次逐渐减弱,(220/204)衍射峰从无到有且强度逐渐增强.在苏打石灰玻璃和Mo箔衬底上的Cu(In,Ga)Se2关键词:
择优取向
Cu(In
2薄膜')" href="#">Ga)Se2薄膜
太阳电池 相似文献
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研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响.通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体.高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势.经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS"两相分离"现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03%降低到5.02%. 相似文献
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考察了通过自主研发的高温热裂解辅助硒化装置所产生的高活性硒对CIGS薄膜结构和器件性能的影响.通过调节高温裂解系统的温度可以有效调节不同的硒活性.研究发现, 第一台阶HC-Se气氛可以提高CIGS薄膜表面的Ga含量, 使得CIGS薄膜内的Ga分布更加平缓, 进而提高CIGS薄膜表面禁带宽度.而且HC-Se气氛可以消除CIGS"两相分离"现象.两种因素的共同作用使得CIGS薄膜太阳电池的开路电压提高了34.6%.电池转换效率从6.02%提升至8.76%, 增长了45.5%. 相似文献
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A dc magnetic sputtering process is applied to growth of a Mo back. contact layer onto the flexible polyimide (PI) and rigid soda-lime glass (SLC) substrates. The structural and electrical properties of the Mo layer coated on the two kinds of substrates are investigated by x-ray diffraction (XRD) and Hall effect measurements. The results show that the Mo layer on SLG indicate more better crystal quality and lower resistivity than that on the PI sheets. In contrast to the SLG substrate, the resistivity of the Mo layer on PI is increased by the vacuum annealing process at the substrate temperature of 450℃ under Se atmosphere, which is attributed to the cracked Mo layer induced by the mismatch of the coefficient of thermal expansion between PI and Mo material. The Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells based on the PI and SLO substrates show the best conversion efficiencies of 8.16% and 10.98% (active area, 0.2cm^2), respectively. The cell efficiency of flexible CIGS solar cells on PI is limited by its relatively lower fill factor caused by the Mo back contact. 相似文献
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本文利用传统的共蒸发三步法制备了CIGS薄膜及电池器件,通过X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)、Hall测试仪、太阳光模拟器I-V曲线测试等方法,研究了Cu和Ga元素比例的不同对电池二极管特性及效率的影响,获得了Cu/(In+ Ga)比值为0.89~0.93、Ga/(In+ Ga)比值为0.29~ 0.33是制备高效电池的理想范围的结论,并分析了偏离理想成份范围的电池性能下降的原因.最后通过工艺优化,制备出理想成份范围内的高质量CIGS薄膜,获得了15.27;的高转换效率电池. 相似文献
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Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池二极管特性的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数.在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内.量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520 nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520~1100 nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的.这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键. 相似文献