甲烷水蒸汽反应动力学的研究II.动力学方程

在常压、反应温度800—900℃和水碳比为1.5—1.6的条件下,分别用细粒度(0.045—0.047毫米)和工业粒度的低活性S-4镍催化剂在积分反应器和内循环无梯度反应器中,研究了甲烷水蒸汽反应的动力学。实验结果表明,该反应体系中的水煤气反应没有达到平衡,利用基本上不受扩散影响的细粒度催化剂所进行的实验,获得甲烷水蒸汽反应的速率表达(8)。其产物分布用(4)式进行关联。 对工业粒度催化剂,得到甲烷水蒸汽反应的速率表达式(10)。实验数据表明,工业粒度催化剂的效率因子或表面利用率随甲烷转化率的升高而降低。根据(8)式和(10)式可推算出,在850℃时催化剂的平均有效作用层厚度仅0.048毫米。     

重氮树脂-聚(4-羧酸苯基)乙炔自组装膜与光电转换

近年来 ,自组装及其形成的多层复合膜已经在导电、生物传感器及非线性光学等领域得到深入研究 ,特别是以聚阴离子与聚阳离子相互作用的静电自组装研究更为深入 .这一技术制备方法简单 ,无需特别的设备 ,对膜层厚度能随意调控 ,并以水作为介质 ,对环境无害 [1～ 3] .共轭高分子 (如聚苯胺、聚吡咯及聚苯亚乙烯等 )通过自组装形成共轭高分子膜 ,对制备具有导电、光电和传输等功能的薄膜半导体器件具有重要意义 .聚乙炔类是最早被发现且理论与应用研究最多的一类共轭高分子材料[4 ,5] .本文以聚 ( 4 -羧酸苯基 )乙炔 ( PCPA)为聚阴离子 ,以重…     

甘氨酸Schiff碱三核铜(Ⅱ)配合物为载体的硫氰酸根离子电极的研究

研究了3-羧基水杨醛缩甘氨酸Schiff碱三核铜(Ⅱ)配合物[Cu(Ⅱ)-CGSBT]为中性载体的PVC膜阴离子电极,该电极对硫氰酸根离子(SCN-)具有优良的电位响应特征并呈现出反Hofmeister序列行为,其选择性顺序为:SCN- > ClO-4> I- > Sal- > NO-3> NO-2>F- >SO2-4>Br-> SO2-3>Cl-.电极在pH 5.0的磷酸盐缓冲溶液体系中对SCN-在5.6×10-6～0.1 mol/L范围内呈现近能斯特响应,斜率为-56.3 mV/dec,检出限为2.0 μmol/L.采用交流阻抗技术和红外光谱研究了阴离子与载体的作用机理.将电极应用于废水分析,结果令人满意.     

PO43-掺杂和AlF3包覆协同增强Li1.2Ni0.13Co0.13Mn0.54O2正极材料电化学性能

本研究采用PO₄^3-掺杂和AlF₃包覆的协同改性策略制备了P-LNCM@AlF₃正极材料(P=PO₄^3- ,LNCM=Li_1.2Ni_0.13Co_0.13Mn_0.54O₂),提高了LNCM的结构稳定性以及抑制了界面副反应。其中,大四面体的PO₄^3-聚阴离子掺杂在晶格中抑制了过渡金属离子的迁移,降低体积变化,从而稳定了晶体结构,而且PO₄^3-掺杂能够扩大锂层间距,促进Li⁺的扩散,从而提升材料的倍率性能。此外,AlF₃包覆层能抑制材料与电解液的副反应从而提升界面稳定性。基于以上优势,P-LNCM@AlF₃正极表现出了优异的电化学性能。在1C电流密度下表现出了179.2 mAh·g^-1的放电比容量,循环200圈后仍有161.5 mAh·g^-1的放电比容量,容量保持率可达90.12%。即使在5C的高电流密度下仍可提供128.8 mAh·g^-1的放电比容量。     

天文/卫星组合点校捷联惯性导航系统算法研究

捷联式惯性导航系统通常采用卫星导航系统的位置、速度信息对惯导解算误差进行校正,但对于水下载体惯性导航系统而言,由于只能获得点位置信息,对惯导的校正精度以及校正参量有限。针对上述问题,提出了基于天文/卫星组合校正捷联式惯导技术,通过卫星精确定位信息和天文快速观测信息,全面修正惯导系统误差、提高导航精度。仿真结果表明,基于天文/卫星组合校正算法对惯导进行校正,相对于传统校正算法精度可提高约50%。     

高效液相色谱法测定原油脱钙工艺排水体系中NS-3缓蚀剂浓度

将反相高效液相色谱法用于原油脱钙工艺排水体系中缓蚀剂浓度测定研究,建立了缓蚀剂的快速分离检测方法.使用C18柱,以乙腈∶二氯甲烷=9∶1(V/V)混合溶剂为流动相,采用紫外检测器在300 nm处对排水体系中的缓蚀剂进行测定,外标法进行定性定量分析.测定结果表明缓蚀剂浓度在100~900 mg/kg时其峰面积与相应的质量浓度有良好的线性关系,其线性相关系数为0.999 9,相对标准偏差(RSD)和相对误差(RD%)都小于2.0%.用二氯甲烷为萃取剂对排水体系中的缓蚀剂进行萃取,其平均回收率为100%±2%.最低检测线为0.75mg/kg.该方法具有测定结果准确可靠,操作简便快速,重现性好等特点.     

定时截尾场合双参数威布尔分布的贝叶斯推断

给出了定时截尾下,双参数威布尔分布中参数及可靠性指标的Bayes估计,并且给出了未来观测值的贝叶斯预测问题.     

The supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset in advanced complementary metal-oxide-semiconductor static random-access memory cells

Using computer-aided design three-dimensional simulation technology,the supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset and charge collection in static random-access memory cells are investigated.It reveals that the recovery linear energy transfer threshold decreases with the supply voltage reducing,which is quite attractive for dynamic voltage scaling and subthreshold circuit radiation-hardened design.Additionally,the effect of supply voltage on charge collection is also investigated.It is concluded that the supply voltage mainly affects the bipolar gain of the parasitical bipolar junction transistor(BJT) and the existence of the source plays an important role in supply voltage variation.     

The modulation effect of substrate doping on multi-node charge collection and single-event transient propagation in 90-nm bulk complementary metal-oxide semiconductor technology

Variation of substrate background doping will affect the charge collection of active and passive MOSFETs in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technologies, which are significant for charge sharing, thus affecting the propagated single event transient pulsewidths in circuits. The trends of charge collected by the drain of a positive channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an N metal-oxide semiconductor (NMOS) are opposite as the substrate doping increases. The PMOS source will inject carriers after strike and the amount of charge injected will increase as the substrate doping increases, whereas the source of the NMOS will mainly collect carriers and the source of the NMOS can also inject electrons when the substrate doping is light enough. Additionally, it indicates that substrate doping mainly affects the bipolar amplification component of a single-event transient current, and has little effect on the drift and diffusion. The change in substrate doping has a much greater effect on PMOS than on NMOS.     

表面离子阱的衬底效应模型研究及新型离子阱设计

通过分析表面离子阱衬底的功率损失和电势损失对离子阱阱深和离子加热速率的影响,提出考虑衬底效应的阱深和离子加热速率的解析分析模型.研究发现,硅基衬底的电势损失对表面离子阱阱深的降幅达17.19%,功率损失对离子加热速率的加速达13.37%.为了降低衬底效应的不利影响,设计了衬底真空隔离结构的表面离子阱,在离子阱射频电极和直流电极间的衬底表面刻蚀出多条隔离槽,从而减小衬底的等效电导和等效电容,达到降低衬底功率和电势损失的目的.模拟结果显示,相比于一般结构,真空隔离结构的硅基表面离子阱能够使阱深加深20.22%,使衬底功率损失降低54.55%.