Cu过量对Cu1+x Al1-x O2(0≤x≤0.04)薄膜结构与光电性能的影响

以单相多晶Cu1+x Al1-x O2陶瓷做靶材,采用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu过量的Cu1+x Al1-x O2(0≤x≤0.04)薄膜.通过X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电导率的测试,表征了不同含Cu量Cu1+x Al1-x O2薄膜的结构与光电性能.结果表明,沉积态薄膜经退火处理后,由非晶转变为具有铜铁矿结构的纯相Cu1+x Al1-x O2;退火态薄膜在可见光区域的平均透过率约为55;,平均可见光透过率不受Cu含量的影响;退火态薄膜样品的室温电导率随Cu含量的增加而增大,Cu1.04 Al0.96 O2的室温电导率最高,为1.22×10-2 S/cm;在近室温区(200～300 K),退火态薄膜均很好地符合Arrhenius热激活模式.     

喷射沉积Al-Zn-Mg-Cu合金GP区应变场的定量测试

为定量测试喷射沉积合金GP区周围的晶格应变的分布,利用喷射成形技术制备了Al12Zn2.4Mg1.1Cu合金。随后对合金进行热挤压、758K固溶2小时和393K时效20小时处理。利用高分辨透射电子显微镜(High Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)和几何相位分析(Geometric Phase Analysis,GPA)软件对GP区的结构和应变场进行了测量和分析。结果表明,GP区附近的应变值在各方向差别较大,沿GP区惯习面法线方向的应变最大(εxx=-0.092),与惯习面平行方向上的应变最小(εyy=-0.004)。该项结果可解释GP区附近位错运动的差异:由于应变场在各方向上存在较大差别,产生的应变强化效果不同,导致阻碍位错运动的能力也有所不同。     

锡掺杂二氧化钛相变过程和微结构分析

本文采用溶胶凝胶法制备了锡掺杂纳米二氧化钛,通过高分辨透射电镜法(HRTEM),X-射线衍射法(XRD)等分析手段对样品的相变过程进行了表征.XRD和HRTEM测试表明纯二氧化钛在烧结温度高于500℃时出现金红石相,而25mol; Sn2+掺杂二氧化钛凝胶在300℃烧结2h后少量锐钛矿相析出的同时结晶出金红石相.实验结果表明Sn2掺杂抑制了锐钛矿和金红石相的晶粒长大;Sn2+掺杂明显地促进了锐钛矿向金红石的转变.Sn2氧化后形成Sn4+,Sn4+置换Ti4+而引起二氧化钛晶格膨胀的同时晶格畸变应力增加.