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研究了软X射线能谱仪探测道系统(系统包括X射线二极管(XRD)、SUJ-50-10电缆和不同频带示波器)的响应时间。实验利用上海激光联合实验室的20TW激光器激光(激光能量约20J,脉冲宽度约1ps)打金箔靶产生的X光,用XRD探测系统测量,记录示波器有TK684C,TK694C和WM8500等。将实验数据进行了线性拟合和比对分析。滤片XRD探测系统的响应时间随偏压升高而加快,随传输电缆长度的增加而变慢,因此测量快信号过程时,应提高探测器偏压,缩短传输电缆,选择宽频带高采样率示波器,以便减少系统的响应时间,减小信号失真程度。 相似文献
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为了实验研究粲偶素ψ'级联衰变过程ψ'→γ'xcJ→γ'γJ/ψ,一个用于正确描述全部末态角分布的产生子是必要的.可以通过分析角分布的关联来确定这一过程的多极展开参数(或者等效的螺旋度振幅),而从中可以知道高阶电磁多极矩和相对论修正的贡献,同时可以检验ψ'是不是ψ'(2S)和ψ'(1D)的混合.介绍了一个能完全描述这一过程的角分布的产生子,同时讨论了测量多极参数的测量方法.这些都可以被用在BESⅢ或者CLEOc的分析当中. 相似文献
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We study the decoherence process of an exact solvable model that consists of a central spin-1/2 coupling to the surrounding anisotropy spin-1/2 chain in transverse fields. The Loschrnidt echo is calculated to study the character of decoherence with different degree of anisotropy. Our results show that the degree of anisotropy γ greatly affects the decoherence process of the central spin-system when the spin chain is in weak transverse fields, but it gives weak effect in the strong transverse field. The decoherence process of the central system changed dramatically along the line of the critical points, and this may be explained as the reflection of quantum phase transitions. 相似文献
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The behavior of a two-level entangled atom in an optical field with circular polarization is studied in this paper. The interaction of an optical field and one of the entangled atoms is analyzed in detail. A general solution of the SchrAo¨Gdinger equation about the motion of the entangled atom is obtained. The properties of the action are dependent on the initial state of the atom. By detecting the entangled atom out of the field, we can obtain the state of the other atom moving in the field. It is shown that the state of the atom out of the field will influence the energies of the split-levels of the atom in the field. 相似文献
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本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。
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