GaN氢化物气相外延生长系统的设计与制作

根据GaN氢化物气相外延生长(HVPE)的原理,设计制作了双温区卧式HVPE系统．根据实际生长中出现的问题和CaN样品的测试情况,对系统进行了逐步的调试和改进．     

金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜

利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向的ＬａＡｌＯ_３，ＳｒＴｉＯ_３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ_３铁电薄膜，并通过Ｘ射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析．Ｘ射线θ－２θ扫描显示硅衬底上得到了ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜，另两种衬底上得到了择优取向的ＰｂＴｉＯ_３薄膜．ＬａＡｌＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜有ａ和ｃ两个取向，也就是薄膜中存在着９０°畴结构，而生长在ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜中只存在ｃ方向的择优取向．由于薄膜的尺度效应，发现ｃ轴晶格常数与块材相比均缩短．Ｘ射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性，利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质，进一步证明了ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜的单畴特性．利用重掺杂的硅衬底作底电极，测量显示直接生长于硅衬底上的ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜具有良好的铁电性能 关键词：     

光放大器前置可调光学滤波器

介绍Ｆ－Ｐ干涉滤波器实现中心波长可调的两种机理，给出通过改变腔距来改变中心波工的滤波器的典型结构，并且给出了相应的电压驱动电路，实验表明选择合适的光放大器前置滤波器可以提高系统的灵敏度。     

界面反射偏振象差分析

在光学没计中,一般认为在同一光波面上,光束具有相同的振幅和偏振状态。事实上,光束经过许多光学元件后,偏振状态会发生变化,特别是入射角和光程的不同,会导致出射光波面上偏振分布不再均匀,形成偏振象差。本文主要就轴上物点发出的光束经过界面反射后的偏振象差方面进行了分析。     

Several parameters of generalized Mycielskians

The generalized Mycielskians (also known as cones over graphs) are the natural generalization of the Mycielski graphs (which were first introduced by Mycielski in 1955). Given a graph G and any integer m?0, one can transform G into a new graph μ_m(G), the generalized Mycielskian of G. This paper investigates circular clique number, total domination number, open packing number, fractional open packing number, vertex cover number, determinant, spectrum, and biclique partition number of μ_m(G).     

Microstructure of a-SiOx:H

A set of a-SiO_x:H (0.52 <x< 1.58) films are fabricated by plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition (PECVD) method at the substrate temperature of 250°C. The microstructure and local bonding configurations of the films are investigated in detail using micro-Raman scattering, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). It is found that the films are structural inhomogeneous, with five phases of Si, Si₂O:H, SiO:H, Si₂O₃:H and SiO₂ that coexist. The phase of Si is composed of nonhydrogenated amorphous silicon (a-Si) clusters that are spatially isolated. The average size of the clusters decreases with the increasing oxygen concentration x in the films. The results indicate that the structure of the present films can be described by a multi-shell model, which suggests that a-Si cluster is surrounded in turn by the subshells of Si₂O:H, SiO:H, Si₂O₃:H, and SiO₂.     

位置参数估计量的损失函数之估计

本文考虑损失函数的估计问题,分别对于球对称分布和均匀分布情形给出了其参数的J-S型估计量的损失之估计,它们满足[1]中提出的条件(Ⅰ)和(Ⅱ).     

正交试验法优化CS汽化吸附条件

通过正交试验设计,优化了影响西埃斯(CS)标准样品管制备的参数:汽化温度、采样流速、采样时间。结果表明,CS标准样品管的最佳吸附条件为汽化吸附温度:260℃,采样N2流速:330mL/min,采样时间:15min。在15~1500ng范围内,色谱峰面积与进样量有良好的线性关系,线性相关系数为0.9995,检出限为6.0ng。     

偏最小二乘法分光光度同时测定复方扑热息痛片中各组分含量

本文介绍了偏最小二乘法(PLS)用于多组分分光光度分析的基本原理和算法.研究了复方扑热患痛片中扑热息痛、阿司匹林和咖啡因的PLS测定方法,各组分的平均回收率分别为99.88±0.33％、99.99±0.14％和99.92±1.24％(置信度95％).