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本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
关键词: 相似文献
5.
光纤的能量传输特性及应用 总被引:5,自引:0,他引:5
着重分析了影响光纤传输能量以及光纤传输中造成能量损耗的因素。这些因素主要包括光纤材料、构造、光纤的折射率分布、光纤的长度和芯径、光纤的数值孔径和热效应以及耦合等。同时 ,结合激光二极管点火的实例 ,分析探讨了其背景和应用价值。结论是 :为了尽可能减少能量损耗、提高光纤输出的激光功率和激光功率密度 ,应当选取合适的激光工作波长、较小的光纤长度、较小的芯径和较小的数值孔径 ,应采用渐变折射率分布光纤 ,应减少弯曲与耦合 相似文献
6.
Study on the Superhydrophilicity of the SiO2-TiO2 Thin Films Prepared by Sol-Gel Method at Room Temperature 总被引:2,自引:0,他引:2
Dasen Ren Xiaoli Cui Jie Shen Qun Zhang Xiliang Yang Zhuangjian Zhang Lu Ming 《Journal of Sol-Gel Science and Technology》2004,29(3):131-136
Nanoscale SiO2-TiO2 composite thin films with the thickness of about 100 nm were prepared by sol-gel method at room temperature in air. The chemical states of the elements on the surface and near the surface were measured by XPS. The results showed that the Ti on/near the surface of the thin films existed not only as TiO2 but also as Ti2O3. Part of the TiO2 was changed to Ti2O3 after UV irradiation. The crystalline structure of the TiO2 in the SiO2-TiO2 thin films was anatase with the crystallite size of 14–20 nm. It was found that the thin film prepared at room temperature in air has good superhydrophilic property and has strong adherence to the substrate. 相似文献
7.
Lizeng Wang Chengsong Ma Xiaoli Zhang Yibing Ren Yong Yu 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1995,351(7):689-691
The electrochemical behavior of the copper-tyrosine complex has been studied by linear-sweep adsorption voltammetry. In 0.02 mol/L Na2HPO4 buffer solution (pH=9.6), the complex can be adsorped on a hanging mercury drop electrode and reduced at a peak potential of about –0.42 V (vs. SCE). The secondary derivative peak height is linear proportional to the concentration of tyrosine in the range 1.0×10–7–5.0×10–5 mol/L. The detection limit is 5×10–8 mol/L.Project supported by the Provincial Science Foundation of Shandong Province 相似文献
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9.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 相似文献
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