光纤面板传输机理研究(Ⅱ)

本文在文献[1]研究的基础上,建立了光纤面板的结构模型。利用光学信息理论,研究了光纤面板的传输机理。通过分析、计算光纤面板传输的光学信息量,给出了光纤面板传递最大信息量时的最佳结构参数和扩散参量。     

数字散斑干涉技术在振动分析中的应用

首次将相移技术应用于频闪数字散斑干涉计量中,对物体的振动进行了定量分析.实验证明,这种方法有广泛的实用价值.另外,介绍了一套自动分析系统,讨论了各参数对测量结果的影响.     

三种群食物链交错扩散模型的整体

本文应用能量估计方法和Gagliardo-Nirenberg型不等式证明了一类强耦合反应扩散系统整体解的存在性和一致有界性，该系统是带自扩散和交错扩散项的三种群Lotka-Volterra食物链模型．通过构造Lyapunov函数给出了该模型正平衡点全局渐近稳定的充分条件．     

α－萘甲酰呋喃甲酰甲烷的合成及谱学性质的研究

本文用Ｃｌａｉｓｅｎ缩合反应合成了未见文献报道的一种新的β－二酮，α－萘甲酰呋喃甲酰甲烷（α－ＮＦＭ），考察了该化合物的红外光谱、质谱及核磁共振氢谱。确定其存在着互变异构。     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

Acute Triangulations of Flat Mobius Strips

In this paper we investigate the acute triangulations of flat Mobius strips. We find out that we can always triangulate a flat Mobius strip with at most nine acute triangles, and sometimes (but not always) that many triangles are really needed.     

CH HCSB TBM�й�����մ���ֳ��΢���о���չ

介绍了中国氦冷球床实验包层模块(CHHCSBTBM)设计中固体氚增殖剂陶瓷球的功能要求。考虑正硅酸锂(Li4SiO4)作为第一候选材料。对其陶瓷粉体的制作方法、微球成型方法和微球中氚的释放、辐射稳定性等进行了简要介绍,并概述了我国在固体氚增殖剂研究方面已经开展的工作。     

The Improvement of Fischer's Inequality and Hadamard's Inequality

ＴｈｅＩｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆＦｉｓｃｈｅｒ＇ｓＩｎｅｑｕａｌｉｔｙａｎｄＨａｄａｍａｒｄ＇ｓＩｎｅｑｕａｌｉｔｙＨｕａｎｇＬｉｐｉｎｇ（黄礼平）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＢａｓｉｃＳｃｉｅｎｃｅｓ，ＸｉａｎｇｔａｎＭｉｎｉｎｇＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，...     

FREE BOUNDARY PROBLEM ARISING FROM EVAPORATION FROM POROUS MEDIUM

ＦＲＥＥＢＯＵＮＤＡＲＹＰＲＯＢＬＥＭＡＲＩＳＩＮＧＦＲＯＭＥＶＡＰＯＲＡＴＩＯＮＦＲＯＭＰＯＲＯＵＳＭＥＤＩＵＭＹＡＮＧＬＩＰＩＮＧ（杨力平）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ，ＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅ...