光纤面板传输机理研究(Ⅱ)

本文在文献[1]研究的基础上,建立了光纤面板的结构模型。利用光学信息理论,研究了光纤面板的传输机理。通过分析、计算光纤面板传输的光学信息量,给出了光纤面板传递最大信息量时的最佳结构参数和扩散参量。     

半序集下同调的研究概况及Quillen猜想的一个重要方面

１９７８年，Ｄ，Ｑｕｉｌｌｅｎ证明了：若群Ｇ有非平凡的正规ｐ－子群，则由ｐ－子群组成的半序集是可缩的。同时，他还猜想逆定理也成立。１９９３年，Ｍ．Ａｓｃｈｂａｃｈｅｒ和Ｓ．Ｄ．Ｓｍｉｔｈ证明了若群Ｇ不包含某种酉分支的话，则Ｑｕｉｌｌｅｎ猜想的确成立，在他们的证明中，Ｑｕｉｌｌｅｎ所证明的下述定理起着很重要的作用：由基本阿贝耳Ｐ－子群组成的半序集到所有Ｐ－子群组成的半序集的包含映射导出对应下同调的同构。以Ｂｕｃｈｓｂａｕｍ条件为重要的工具，本文将重新叙述此定理的证明。     

CORBA~( ):一个具有自卫智能体的扩展CORBA

将自卫机制加入OOP成为AOP以提高CORBA中软件的强健性和防卫能力,在CORBA这个异构环境中,一个对象申请服务之后就需等待,如果应答迟迟不到则有可能永远等待下去,为避免这种现象的产生和蔓延,在客户和服务方的行为中加入超时机制(timeout mecha-nism)并采用利己或利他策略,使得对象可独立地根据当前环境和时间决定下一步骤,将这种在协作者失败的情况下仍能生存的对象称为自卫智能体,加入白卫智能体的CORBA称为CORBA~( ),由于智能体可在任何条件下生存,CORBA~( )可为用户提供可靠的服务,也就能实现CORBA~( )中软件构成的强健性。     

数字散斑干涉技术在振动分析中的应用

首次将相移技术应用于频闪数字散斑干涉计量中,对物体的振动进行了定量分析.实验证明,这种方法有广泛的实用价值.另外,介绍了一套自动分析系统,讨论了各参数对测量结果的影响.     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

三种群食物链交错扩散模型的整体

本文应用能量估计方法和Gagliardo-Nirenberg型不等式证明了一类强耦合反应扩散系统整体解的存在性和一致有界性，该系统是带自扩散和交错扩散项的三种群Lotka-Volterra食物链模型．通过构造Lyapunov函数给出了该模型正平衡点全局渐近稳定的充分条件．     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

CH HCSB TBM�й�����մ���ֳ��΢���о���չ

介绍了中国氦冷球床实验包层模块(CHHCSBTBM)设计中固体氚增殖剂陶瓷球的功能要求。考虑正硅酸锂(Li4SiO4)作为第一候选材料。对其陶瓷粉体的制作方法、微球成型方法和微球中氚的释放、辐射稳定性等进行了简要介绍,并概述了我国在固体氚增殖剂研究方面已经开展的工作。     

Recursive method for ARMA model estimation (II)

In this paper a new recursive method for ARMA model estimation is given. Same as in [1], the order's estimator is strongly consistent, and the pearameter's estimaters defer to CLT and LIL under a natural condition. Compared with the previous methods suggested by Hannan & Kavalieris (1984), Wang Shouren & Chen Zhaoguo (1985) and Franke (1985), this method has some advantages: the amount of calculat on work is smaller, the minimum-phase property of coefficient estimators can be guaranteed, the BAN estimators for MA or AR model can be obtained directly, and the simulation shows that this method is more accurate in estimating the order and parameters.