固氮酶及合成氨Fe催化剂中N2的络合位

用乙烯为探针研究了固氮酶中Ｎ２的键合位，结果表明，乙烯不能与Ｎ２在固氮酶体系中相竞争，提出Ｎ２在固氮酶中键合位很可能是蛋白键合ＦｅＭｏ－ｃｏ笼内６Ｆｅ位的μρ（η＾２，ε４）ｔ ３Ｆｅ＋１Ｍｏ位的μ４（η＾３，ε）方式，而不是笼口２Ｆｅ位的μ２（η＾２）方式，在合成氨Ｆｅ催化剂中Ｎ２的络事方式可能是μ６（η＾３，ε３ ）。     

KMnO4-mediated direct selective radical cross-coupling: An effective strategy for C2 arylation of quinoline N-oxide with arylboronic acids

Direct C—H functionalization of quinoline N-oxides with arylboronic acids is achieved using KMnO_4 as the sole and efficient oxidative system.This method provides an efficient protocol to construct regioselectively 2-arylquinoline N-oxides via radical cross-coupling reaction in moderated to good yields under mild conditions.     

Cu(OAc)2-catalyzed direct radical C2 arylation of quinoline N-oxide with arylamines

A Cu(OAc)₂-catalyzed synthesis of 2-arylquinoline N-oxides with easily available arylamines is described. The main features of this reaction are mild reaction conditions, high functional-group tolerance, excellent regioselectivity, and good to excellent yields. This procedure is mild, operationally simple, and constitutes a greener approach to the arylation of quinoline N-oxides.     

用于荧光光谱测定的微量固体粉末样品制样优化*

为满足微量固体粉末荧光检测要求,采用薄层制样法,改变黏结剂种类、黏结剂的用量、涂层厚度以及后处理方法来进行其制样工艺优化。 结果表明:以聚乙烯醇做黏结剂、1∶5的固液比、在50 ℃烘干30 min、涂片次数3层的薄层制样优化工艺可满足荧光固体测样的要求。采用t检验比较固体样品池装样和薄层制样法的荧光检测结果发现两者无显著性差异,薄层制样优化工艺的需样量较样品池减少90%。     

Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能

采用一种绿色的等离子增强化学气相沉积法,以Al2O3为衬底, Ga金属为镓源, N2为氮源,在不采用催化剂的情况下,成功制备获得了结晶质量良好的GaN纳米线.研究表明,生长温度可显著调控GaN纳米线的形貌,当反应温度为950℃时,生长出的GaN微米片为六边形;当反应温度为1000℃时,生长出了长度为10-20μm的超长GaN纳米线.随着反应时间增加, GaN纳米线的长度增加. GaN纳米线内部存在着压应力,应力大小为0.84 GPa.同时,也进一步讨论了GaN纳米线无催化剂生长机制. GaN纳米线光致发光结果显示, GaN纳米线缺陷较少,结晶质量良好,在360 nm处有一个较为尖锐的本征发光峰,可应用于紫外激光器等光电子器件.本研究结果将为新型光电器件低成本绿色制备提供一个可行的技术方案.     

Balancing energy to estimate damping in a forced oscillator with compliant contact

This work identifies damping parameters from compliant-contact vibration systems using an energy balance. To develop the identification algorithms, the energy loss as registered in the force-displacement relationship of the real system is expressed in terms of a theoretical model incorporating an ideal compliant contact. Two approaches, one based on the harmonic response assumption and the other directly integrating the system responses, are developed. Numerical and experimental investigations are performed to illustrate the reliability of the identification algorithms. The method is applied to an experimental industrial linear-bearing system.     

由联苯四羧酸配体构筑的一维锰(Ⅱ)和二维铜(Ⅱ)配位聚合物的合成、晶体结构及磁性质

采用水热方法,用2种联苯四羧酸配体（2,4-H₄bpta和3,5-H₄bpta）和4,4''-联吡啶（4,4''-bipy）或2,2''-联吡啶（2,2''-bipy）分别与MnCl₂·4H₂O和CuCl₂·H₂O反应,合成了一个具有一维双螺旋链结构的配位聚合物[Mn（μ₃-2,4-H₂bpta）（4,4''-bipy）₂]_n（1）和一个二维层状配位聚合物{[Cu（μ4-3,5-bpta）_0.5（2,2''-bipy）（H₂O）]·H₂O}_n（2）,并对其结构和磁性质进行了研究。结构分析结果表明2个配合物分别属于单斜晶系,P2₁/c和C2/c空间群。配合物1具有一维双螺旋链结构,而且这些一维链通过O-H…N氢键作用进一步形成了二维超分子网络。而配合物2具有二维层状结构。研究表明,配合物1中相邻锰离子间存在铁磁相互作用。     

直流磁控溅射厚度对Cu(Inx,Ga1-x)Se2背接触Mo薄膜性能的影响

采用直流磁控溅射工艺, 在一定条件下通过控制溅射时间, 在钠钙玻璃上制备了不同厚度的用于Cu(In_x, Ga_1-x)Se₂薄膜太阳电池背接触材料的Mo薄膜, 并利用X射线衍射 (XRD)、场发射扫描电子显微镜 (SEM)、四探针测试仪、台阶仪研究了厚度对溅射时间、薄膜微结构、电学性能及力学性能的交互影响. Mo薄膜的厚度与溅射时间呈线性递增关系; 随厚度的增大, Mo薄膜 (110) 和 (211) 面峰强均逐渐增大, 择优生长从(110)方向逐渐向 (211)方向转变, 方块电阻值只随 (110) 方向上的生长而急剧减小直到一特定值约2 Ω/⇑, 电导率随薄膜的 (110) 择优取向程度的降低而线性减小直到一特定值约0.96×10^-4 Ω·cm; Mo薄膜内部是一种多孔的长形簇状颗粒和颗粒间隙交织的结构, 并处于拉应力态, 其内部应变随薄膜厚度的增大而减小. 关键词： Mo薄膜 CIGS背接触 厚度 微结构