蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH3掺杂研究

以NH₃为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜。通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH₃流量下生长出了〈1120〉单一取向的ZnO薄膜。经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高电阻率,并对其光电子能谱进行了研究。     

外围缩合四个1,10-啡啰啉单元的新氮杂酞菁的表面光伏响应及电场作用研究

通过电场诱导表面光电压谱确定外围缩合4个1,10-啡啉单元的氮杂酞菁为p型有机半导体,并对各个谱带进行合理的归属.结果发现,Soret带长波侧光电压曲线在电场作用下轻微蓝移,根据电场对高极化度n轨道基态的影响,将其归属为n-π^*     

MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜

通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2 03衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO( ZnO∶ Cu)薄膜.X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶ Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长.X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中.利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶ C...     

用A238U超核聚变检验裂变机制的可行性探讨

超核_A²³⁸U的裂变的剪断过程,用不断上升的势垒模拟,对不同的剪断过程(恒速或加速),对A末态激发几率(布居于轻裂块的几率)作了计算,分别为27%或31%。有待实验检验。     

一种复合载体丙烯聚合催化剂的研究

采用SiO2-MgCl2复合载体制备了一种丙烯聚合催化剂,考察了SiO2活化条件、SiO2和MgCl2质量比和催化剂的不同制备工艺对催化剂性能的影响,通过对催化剂的氢调和聚合时间的试验,发现该催化剂用于催化丙烯聚合时,无需加入外给电子化合物就可以使树脂达到较高的等规指数。     

退火对ZnO薄膜质量的影响

用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石（0001）衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜,通过在生长温度下氧气和氮气中退火处理的比较,研究了退火对ZnO薄膜结构和发光特性的影响。通过X射线衍射测量得知,经过氮气和氧气退火都可以使其002峰增强,且在氧退火中表现得尤为明显。光致发光测量发现氮气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰明显增强,而深能级发光峰明显减弱;而氧气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰略有减弱,而深能级峰显著增强。     

High Resistive ZnO／Diamond／Si Films Grown via Metal-organic Chemical Vapour Deposition

Piezoelectric ZnO layers with high resistivity for surface acoustic wave applications were prepared on polycrystalline diamond/Si substrates with(Ill) orientation via metal-organic chemical vapour deposition.The characteristics of the films were optimized through different growth methods. The comparative study of the X-ray diffraction spectra and scanning electron microscopic images showed that the final-prepared ZnO films were dominantly c-axis oriented. Zn and O elements in the final prepared ZnO films were investigated through X-ray photoelectron spectroscopy. According to the statistical results, the n(Zn)/n(O) ratio is near 1. The Raman scattering was also performed in back scattering configuration. E2 mode was observed for the final films, which indicated that the better quality ZnO films had been obtained. The resistivity of the films was also enhanced via the modification of the growth methods.     

温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究。ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,进而影响后期ZnO主层的生长行为,但由于高温对后期ZnO纳米柱横向生长的抑制,纳米柱的尺寸并没有因为成核尺寸的增大而变大,因此在560℃得到了晶柱尺寸最大、密度最小的ZnO薄膜。最后通过改变成核温度,优化了ZnO外延膜的结晶质量。     

脉冲激光沉积(PLD)法生长高质量ZnO薄膜及其发光性能

采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌。优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀。室温光致发光(PL)谱分析结果表明,随着薄膜生长时O₂分压的增大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰之比显著增强,表明薄膜的结晶性能和化学计量比都有了很大的改善。O₂分压为20Pa时所生长的ZnO薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量。     

能量传递制冷机制中激光制冷的最佳泵浦频率和最大制冷效率

在能量传递型激光制冷中,对于非均匀线宽比较窄的情况,引起最大制冷效率的激发光频率不随温度的变化而变化最大制冷效率与温度呈三次暴的关系。对于非均匀线宽比较宽的情况。随着温度的降低,最佳激发光频率与非均匀线形的中心频率差越来越大,并在较低的温度下迅速拉大它们间的距离。由能量传递机制所引起的荧光制冷最大效率也随着温度的降低而越来越低,并在最后趋于零。它们随温度的降低而降低的规律与实验中得到的结论相符合。