首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   0篇
  国内免费   3篇
化学   6篇
物理学   2篇
  2011年   1篇
  2007年   2篇
  2006年   1篇
  1993年   1篇
  1992年   2篇
  1985年   1篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
以XRD、MAS NMR、IR和化学分析等方法研究了镓取代皂石及其羟基铝低聚物交联物。结果表明,Ga占据骨架四面体位置,影响四面体层电荷及Al柱的交联密度。交联物经焙烧后,Al柱与层形成Ga—O—Al_p键,实现了层与柱的交联,而Al_(13)基本结构不变。  相似文献   
2.
采用Gly-Glyo,2,2'-联吡啶与Cu(NO3)2·H2O在二次水溶液中反应,合成了以Gly-Glyo作为中继基的新型双核配合物.经X射线单晶结构分析确定该配合物晶体的化学结构式[(C10H8N2)Cu(H2NCH2CONHCH2COO)Cu(C10H8N2)2](NO3)3.晶体属三斜晶系,P1空间群,晶胞参数:a=1.4268nm,b=1.1754nm,c=1.4059nm,α=104.01°,β=91.56°,γ=72.22°,Z=2.衍射数据在NicoletXRDR3型四圆衍射仪上收集,结构参数经块矩阵最小二乘法精修后,最终一致性因子R值为0.070.  相似文献   
3.
IntroductionThe human immunodeficiency virus(HIV)is thecausative agent of acquired immunodeficiency syndrome(AIDS).Since HIV protease is essential for the repli-cation and maturation of HIV,the inactivation of HIVprotease by either mutation or chemical in…  相似文献   
4.
新型双芳烃桥连的salen钛配合物是一种高活性的催化三甲基硅腈对醛不对称加成反应的催化剂,底物与催化剂用量比率可达1 000:1.由(R,R)-1,2.环已二胺和3,5-二叔丁基水杨醛合成的催化剂4在催化三甲基硅腈对醛不对称加成反应中达到87%的对映选择性.  相似文献   
5.
Segment-A of okadaic acid was synthesized in an optically active form by coupling the lithium acetylide (segment-A2) and the previously prepared segment-A1. The key step was the preparation of anti-diastereoisomer for C-12/13 asymmetric center by means of heteroconjugate addition involving Mitsunobu inversion of syn-isomer or direct formation of anti-isomer by beta-chelation effect.  相似文献   
6.
用水热法合成了Ga取代皂石(GaS,并用羟基铝低聚物与其交换制得了PGaS。用XRD,^27Al、^29Si MAS NMR和NH3-TPD表征了GaS,PGaS和CPGaS。在1,2,4-三甲苯歧化反应中观察了PS(交联皂石)和PGaS的催化性能。结果表明GaS的结晶度很高,Ga确实进入了皂石的骨架,与PS相比,PGaS的活性和活性衰减低,歧化选择性高。这可能与PGaS表面L酸所占表面酸份额高有  相似文献   
7.
本文对高温超导涂层导体及其双轴织构外延生长技术进行了全面的论述。内容分金属基体、缓冲层、超导层三个方面,根据金属基体的不同将缓冲层分成四个类型,即辊扎双轴织构金属基带(RABiTS)上外延缓冲层、自氧化外延(SOE)NiO缓冲层、离子束辅助沉积(IBAD)缓冲层和衬底倾斜沉积(ISD)缓冲层。总结了超导层沉积工艺和人工磁通钉扎中心的最新研究成果,评述和展望了高温超导涂层导体的当前国际状态和发展前景。  相似文献   
8.
简述了当今倍受关注的等离子体聚合薄膜技术和各种等离子体纳米聚合反应装置,讨论了各种纳米材料如氧化锌(ZnO)、碳纳米管(CNT)、碳纳米纤维(CNF)等离子体表面改性结果。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号