混沌时间序列的局域高阶Volterra滤波器多步预测模型

依据相空间邻近轨道演化相似性特点建立训练模式,提出了基于自适应高阶非线性Volterra滤波器（HONFIR）的混沌时间序列多步预测模型（MSP-HONFIR）;通过定义距离相似度、趋势相似度来衡量轨道演化相似度,提出了混沌吸引子邻近轨道判别的新方法;从模型训练充分性角度出发探讨了MSP-HONFIR滤波器模型训练集规模控制的依据.数值研究表明MSP-HONFIR滤波器模型的多步预测性能优于原有HONFIR滤波器模型. 关键词： 混沌 非线性自适应预测 Volterra滤波器模型 训练模式     

氧化钒薄膜微观结构的研究

采用直流磁控反应溅射在Si(100)衬底上溅射得到(001)取向的V₂O₅薄膜.x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)的结果表明，氧分压影响薄膜的成分和生长取向，在氧分压0.4Pa时溅射得到(001)取向的纳米V₂O₅薄膜，即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜.V₂O₅薄膜经过真空退火得到(001)取向的VO₂薄膜，晶体颗 关键词： 微观结构 氧化钒薄膜 择优取向 直流磁控溅射     

Progress on the construction of the 100 MeV/100 kW electron linac for the NSC KIPT neutron source

IHEP, China is constructing a 100 MeV/100 kW electron Linac for NSC KIPT, Ukraine. This linac will be used as the driver of a neutron source based on a subcritical assembly. In 2012, the injector part of the accelerator was pre-installed as a testing facility in the experimental hall #2 of IHEP. The injector beam and key hardware testing results met the design goal. Recently, the injector testing facility was disassembled and all of the components for the whole accelerator have been shipped to Ukraine from China by the ocean shipping. The installation of the whole machine in KIPT will be started in June, 2013. The construction progress, the design and testing results of the injector beam and key hardware are presented.     

22Na放射源慢正电子束流插入装置的研制

北京慢正电子强束流是利用北京正负电子对撞机电子直线加速器电子打靶产生的高强度低能单色正电子束流. 为了提高强束流的机时利用效率和节省强束流用于新建实验站的调试机时, 设计了一套基于²²Na放射源的慢正电子束流装置插入到强束流输运线上. ²²Na放射源慢正电子束流插入装置主要包括²²Na放射源及慢化体、E×B能量选择器、多级静电加速管、磁场输运系统、真空系统、高压绝缘和辐射防护措施等.     

正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析

在慢正电子束研究表面的实验中,一般仍使用高纯Ge γ谱仪测量正电子湮没多普勒展宽能谱,对能谱的分析采用线形参数S,W,这些参数提供的信息有限. 例如,当电子与正电子在材料中形成电子偶素时,简单的线形参数非但不能表征它们,反而因它们的存在使得分析变得复杂. 本工作在对多普勒展宽能谱进行数据处理的过程中,引入正态电子偶素自衰变强度I_3γ参数,建立了从能谱中获得I_3γ参数值的方法. 以标准样品为基准,选用Ag盖帽的气凝硅胶进行I_3γ参数计算,工作表明新参数对研究介孔材料及纳米薄膜能提供更丰富的信息.     

基于北京慢正电子强束流的微脉冲化系统设计

慢正电子湮没寿命测量是研究材料表面微观缺陷的重要分析方法．束团化系统是实现慢正电子湮没寿命测量的核心部件, 主要由斩波、聚束两部分组成, 它可以将随时间连续分布的束流束团化, 从而获得正电子湮没寿命测量的时间起点及满足时间分辨率要求的束团．本文以粒子动力学计算为基础, 完成了束团化系统的物理设计, 其时间分辨率设计值为150ps(FWHM)．     

不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性

采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜, 然后将它们在H^２S气流中 硫化得到ZnS薄膜．用x射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和UV-VIS透过光谱对Zn S薄膜样品进行了分析．结果表明, 该ZnS薄膜为六角晶体结构, 沿(002)晶面择优取向生长, 其结晶状态和透过光谱与工作气压、Ar/O^２流量比密切相关. 当气压高于1Pa 时, 得 到厚度很小的ZnS薄膜; 而气压低于1Pa时, 沉积的ZnO薄膜则不能全部反应生成ZnS. 另外, 当Ar/O^２流量比低于4∶1或高于4∶1时, 结晶状态都会变差. 此外, 由于ZnS薄 膜具有高 的沿(002)晶面择优取向的生长特性, 使得退火或未退火ZnO薄膜硫化后的晶粒尺寸变化很小 . 关键词： ZnS薄膜 磁控溅射 ZnO硫化 太阳电池     

Crystal Structure and Property Research on Compounds Co（Ⅱ） and Zn（Ⅱ） with 3-Methylbenzoic Acid

Two compounds with 3-methylbenzoic acid(HL) [Co(L)2(4,4'-bipy)]n 1 and [Zn2(L)4(4,4'-bipy)]n 2(L = 3-methylbenzoic acid) have been hydrothermally synthesized directly and characterized by single-crystal X-ray diffraction analysis,elemental analyses,IR spectra and ultraviolet-visible diffuse reflection integral spectra(UV-Vis DRIS).The two compounds are both one-dimensional infinite chains.The structural difference is that 1 is a double-chain structure and 2 is only a single chain one.At the same time,the carboxylate groups adopt different modes in the two compounds,relatively.Additionally,in order to explore the structural characteristic,two-dimen-sional IR spectra are investigated for 1 and 2.Photo-luminescent property of 2 is also researched in detail.