分裂求和技巧与组合恒等式

对上式利用对角线相消法则得(2).证毕.注意到定义(1)可以视为普通升降乘和 q 升阶乘算子的概括和拓广.因此可以期望由部分和公式(2)得到部分关于二项式系数和 Gauss 二项式系数的卷积型组合恒等式.下面便进行这方面的讨论.     

高斯型空间光孤子相互作用的数值研究

 通过数值模拟的方法，对高斯孤子在对数型饱和非线性介质中的相互作用进行了研究，考查了两光束间的相对振幅和相对相位对其相互作用的影响。结果表明：高斯孤子之间的相互作用敏感地依赖于两光束间的相对振幅和相对相位。在不同的振幅差异范围内，光束间的主要作用交替地表现为相互排斥和相互吸引，并由于高斯孤子的不稳定性，导致了光束在碰撞后以一种尺寸周期性变化的呼吸模式传输。随着相对相位的增大，两光束间始终持续地表现出强烈的排斥作用，直到相对相位增加到一个2π周期之后。而且碰撞之后，光束也都以呼吸模式进行传输，其分离的角度越大，呼吸就越明显。     

单甲基原位改性SiO2疏水减反膜的制备与性能研究

 在碱性条件下通过TEOS和MTES的共水解缩聚反应制备了单甲基原位改性的SiO₂溶胶，并使用提拉法在K9玻璃基片上镀制了疏水减反膜。通过透射电镜（TEM）考察了镀膜溶胶的微结构，分别使用红外光谱（FTIR）分析了薄膜的组分，用原子力显微镜（AFM）观察了薄膜的表面形貌和起伏状况，用紫外可见光谱（UV-vis）考察了薄膜的减反射性能，用接触角仪测量了薄膜对水的接触角。并使用“R-on-1”的方式测量了薄膜在Nd:YAG激光（1 064 nm，1 ns）作用下的损伤阈值。结果表明，通过共水解缩聚反应可以把甲基引入镀膜溶胶簇团中，改善了溶胶簇团的网络结构，使薄膜得到相当好的疏水性能和更好的抗激光损伤性能，同时薄膜能保持较好的减反射性能。     

用γ计数率的变化定位核元件的技术研究

用标准放射源进行模拟核材料库房监控实验,当放射源被转移出系统的时候,在不同位置探测了γ计数率变化,根据γ计数率变化的距离平方反比规律实现了被转移的放射源的定位,并估算了该放射源的源强.     

Theoretical Design of High-spin Organic Molecules with —^＊N—S— as a Spin-containing Fragment and Heterocycle as End Groups

IntroductionDesigns and syntheses of organic molecules withvery high-spin ground states have been a topic of greatinterest[1—8].One of the rational approaches to desig-ning high-spin molecules,which has been proposedand studied by several groups[9,10],in…     

多段构件组成的压杆平面内稳定

分析由若干段等截面或者变截面构件组成的压杆平面内稳定问题．从由三段等截面构件组成的压杆平面内稳定问题出发，对两端为变截面、中间为等截面构件组成的压杆的平面内稳定问题进行了分析，得出和两端为等截面构件情况类似的屈曲荷载计算公式．并对两端固接的情况进行了研究分析．     

The Synthesis of Glycoglycerolipids

A convenient synthetic route was developed for the synthesis of the novel glycolipids: 1,2-di-O-acyl-3-O-(2‘-acylamide-2‘-denxy-ct-D-glucopyranosyl)-sn-glycerols. 10 new compounds of glycolipids with different acyl groups were obtained.     

光参量啁啾脉冲放大增益特性研究

 通过对非线性三波耦合方程组进行数值求解，研究了光参量放大的增益特性及饱和放大特性。给出了泵浦光、信号光参数对参量增益的影响及其与晶体饱和长度的关系。且OPA具有传统CPA系统所不具有的优点，将有可能取代传统的CPA系统而作为超短超强激光系统的新型前端。     

PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON Hg1-xCdxTe THIN FILM IMPLANTED WITH As ION

Photoluminescence spectra of a series of MBE-grown Hg_1-xCd_xTe samples with the same mole fraction of about x≈0.39 have been measured at different temperatures from 5 to 100 K. By aid of the temperature and exciting laser power dependence of photoluminescence peak energy and relative intensity, as well as of the comparison with other measurements, four main structures dominating in the photoluminescence spectra are attributed to band to band, D^oX, A^oX and D^oA^o transitions. A deep donor state level located at about 8.5meV below the bottom of the conduction band has been observed and is determined to be due to the arsenic-occupied mercury vacancies. Two acceptor levels located at about 14.5 meV and about 31.5 meV above the top of the valance band have also been found from the measuements, which are identified as the mercury vacancies and As in anion site, respectively.     

关于广义分散控制系统无穷远固定模的进一步研究

目前,广义系统的研究已成为控制理论的一个相当活跃的分支.在一些实际系统中,系统不仅具有广义性的特点,而且具有分散性的特点.基于广义系统的这种特点,最近中国科学院的王朝珠、王恩平研究了广义分散控制系统,[1]提出并研究了广义分散控制系统的无穷远固定模,得出了许多出色的结论.本文继续[1]的工作.本文的结论揭示了广义系统无穷远固定模与正常系统分散固定模的内在联系,进而表明一切用来判别分散控制系统固定模的方法均可相应地适用于广义系统无穷远固定模.