一维〔M（tmp）〕_2ReO_4（M＝Ni、Cu、Pd）聚合物的能带结构

用紧束缚ＥＨＴ晶体轨道方法对一维〔Ｍ（ｔｍｐ）〕_２ＲｅＯ_４（Ｍ＝Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ）聚合物进行了能带计算，利用键向量近似方法对能带的结构及组成进行了讨论。结果表明，该类型聚合物具有不同的导电机理，并进一步研究了环平面间的成键性质及转角改变对聚合物导电性能的影响。     

银硒链状化合物的能带结构与化学键研究

用紧束缚ＥＨＴ晶体轨道方法对银硒链状化合物〔（Ｐｈ４Ｐ）Ａｇ（Ｓｅ４）〕ｎ及〔（Ｍｅ４Ｎ）Ａｇ（Ｓｅ５）〕ｎ进行了能带结构计算，结果表明在Ｆｅｒｍｉ能级附近的能带基本上均以环上Ｓｅ原子之间形成的ｐ－ｐπ反键为主要成分。利用键向量近似方法对两聚合物能带的走势以及主要成分进行讨论，从而验证了该方法的可靠性。     

一维[M（tmp）]2ReO4（M=Ni,Cu,Pd）聚合物的能带结构

用紧束缚ＥＨＴ晶体轨道方法对一维［Ｍ（ｔｍｐ）２］２ＲｅＯ４（＝Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ）聚合物进行了能带计算，利用键向量近似方法对能带的结构及组成进行了讨论。结果表明，该类型了事物具有不同的导电机理，并进一步研究了环平面间的成键性质及转角改变对聚合物导电性能的影响。