聚α,α-二甲基-β-丙内酯与聚(1,2-丙二醇-丁二酸酯)ABA型嵌段共聚物的合成

通过合成双羟端聚(1,2-丙二醇己二酸酯)(PPA),经丁二酸酐酰化得双羧端PPA,再经(Bu_4N)_2CO_3-THF铵化得铵化PPA,最后用铵化PPA与α,α-二甲基-β-丙内酯(PVL)嵌段共聚,首次合成了PPVL-PPA-PPVL的ABA型脂肪族聚酯嵌段共聚物。     

砷锗镉晶体的生长和变温霍尔效应研究

采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs₂多晶合成与单晶生长,生长出ϕ28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs₂单晶体。用金刚石外圆切割机切割出CdGeAs₂晶片,采用X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱仪(EDS)对合成的多晶粉末和切割出的晶片进行表征。结果表明,合成产物为单相四方黄铜矿结构的CdGeAs₂多晶,晶片的原子百分比接近于理想化学计量比。经傅里叶变换红外分光光度计测试发现,初生长的CdGeAs₂晶体在11.3 μm处的吸收系数为0.117 cm^-1,经过拟合计算得出禁带宽度为0.52 eV。通过变温(110~300 K)霍尔效应测试表明,CdGeAs₂晶体在110~300 K温度范围内都为p型导电,载流子浓度p_H和霍尔系数R_H随温度的升高分别升高和下降,而霍尔迁移率μ_H几乎不变。拟合计算出晶体中受主电离能E_A=0.305 eV,并进一步分析了生长晶体中可能存在的受主缺陷。