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The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. The changes of PA films in the electrical conductivity, due to chemical doping and ion implantation in relation to their structure and depth profiles of impurities, were measured through infrared (ATR/FTIK), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and the four probe technique. In all cases, ion implantation of active ions exhibits the same effects as chemical doping. The formation of p-n junction is observed at the interface of implanted region and chemical doped PA substrate. The mechanism of interaction process between ion beam and polymer is also discussed. 相似文献
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本文用0.1NNaOH和3NNaCl溶液分别处理HZSM-5沸石,并由电位滴定法测定其酸度值,NH_4ZSM-5沸石随热处理温度递增脱RNH_2形成HZSM-5沸石的过程以及HZSM-5沸石的脱OH作用均由DTA-TG曲线记录。结果表明,HZSM-5沸石的表面H~+与H_2O分子结合形成H~+(H_2O)_x品种H~+是佛石酸性的主要来源。HZSM-5沸石的脱OH作用在~460到800℃温度区间内发生,并且得出结论,L酸中心在水的作用下不能转变为B酸中心。随着HZSM-5佛石脱OH作用的增加,它的憎水性增强。此外,灼烧温度增加,HZSM-5沸石的B酸中心和L酸中心均随之减少。 相似文献
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The perfluoroalkyl substances(PFS) have attracted considerable attention in recent years as a persistent global pollutant to be able to bioaccumulate in higher organisms.In this paper,theoretical analysis on electronic structures,optoelectronic properties and absorption spectra properties of the perflurooctane sulfonate(PFOS) in gas phase have been investigated by using the DFT/TD-DFT method.The geometric structures,electrostatic potentials,energy gaps,ionization potentials,electron affinities,frontier molecular orbital,excitation energies and absorption spectra for the ground state of PFOS were calculated.The result indicates that the ability of accepting electron of neutral PFOS is larger than that of anionic PFOS,while the electron excited by UV irradiation from HOMO to LUMO in the anionic PFOS is easier than that in the neutral PFOS. 相似文献
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溴酸钾氧化亮绿SF催化光度法测定痕量亚硝酸根 总被引:27,自引:3,他引:27
本文基于亚硝酸根对溴酸钾氧化亮绿SF而使其褪色所起的催化作用,建立了高灵敏度催化吸光光度法测定痕量亚硝酸根的新方法,测定范围为0.05-20ng/ml,用于不同水样中亚硝酸根的测定,获得了满意结果。 相似文献