车载捷联惯导系统静止条件下的初始对准方法研究

根据捷联惯导系统(SINS)的误差模型，从提高初始对准中卡尔曼滤波估计的可观测性和可观测度的角度出发，提出了同时利用加速度表的输出和速度误差量这两种信息作为卡尔曼滤波的测量量，对陆地车辆捷联惯导系统在静止条件下进行初始对准。可观测性定性分析、可观测度定量计算和仿真结果都表明，充分利用外部可观测信息，可以提高系统的可观测性和可观测度，加快初始对准的速度，减小估计误差。该方法已经在实际的SINS中得到应用。     

分子束外延制备的垂直易磁化MnAl薄膜结构和磁性

系统地研究了利用分子束外延方法在GaAs(001) 衬底上外延生长的MnAl_x薄膜的结构和垂直易磁化特性随组分及生长温度的依赖关系. 磁性测试表明, 可在较大组分范围内 (0.4≤x≤1.2) 获得大矫顽力的垂直易磁化MnAl_x薄膜, 然而同步辐射X射线衍射和磁性测试发现当x≤0.6时MnAl薄膜出现较多的软磁相, 当x >0.9时, MnAl薄膜晶体质量和化学有序度逐渐降低, 组分为MnAl_0.9时制备的薄膜有最好的[001]取向. 随着生长温度的增加, MnAl_0.9薄膜的有序度、垂直磁各向异性常数、矫顽力和剩磁比均增加, 350℃时制备的MnAl_0.9薄膜化学有序度高达0.9, 其磁化强度、剩磁比、矫顽力和垂直磁各向异性常数分别为265emu/cm³、93.3%、8.3kOe (1 Oe=79.5775A/m)和7.74Merg/cm³ (1 erg=10^-7J). 不含贵金属及稀土元素、良好的垂直易磁化性质、 与半导体材料结构良好的兼容性以及磁性能随不同生长条件的可调控 性使得MnAl薄膜有潜力应用于多种自旋电子学器件. 关键词： 分子束外延 大矫顽力材料 磁各向异性     

Tunable Perpendicular Magnetic Anisotropy in Off-Stoichiometric Full-Heusler Alloy Co_2MnAl

Off-stoichiometric full-Heusler alloy Co_2 MnAl thin films with different thicknesses are epitaxially grown on GaAs(001) substrates by molecular-beam epitaxy. The composition of the films, close to Co_(1.65)Mn_(1.35)Al(CMA),is determined by x-ray photoelectron spectroscopy and energy dispersive spectroscopy. Tunable perpendicular magnetic anisotropy(PMA) from 3.41 Merg/cm~3 to 1.88 Merg/cm~3 with the thickness increasing from 10 nm to 30 nm is found,attributed to the relaxation of residual compressive strain. Moreover, comparing with the ultrathin CoFeB/MgO used in the conventional perpendicular magnetic tunnel junction, the CMA electrode has a higher magnetic thermal stability with more volume involved. The PMA in CMA films is sustainable up to 300℃,compatible with semiconductor techniques. This work provides a possibility for the development of perpendicular magnetized full-Heusler compounds with high thermal stability and spin polarization.     

滴定法测定含硼富燃推进剂燃烧残渣中总硼含量

为了深入研究含硼富燃料推进剂一次燃烧反应机理,为化学反应机理的研究提供直接的试验依据,测定燃烧残渣中物质的量是十分必要的.含硼富燃料固体推进剂在纯氮气中点火燃烧后的燃烧残渣中总硼含量的测定方法,国内尚无统一的方法.目前硼粉纯度检测时多采用硝酸溶解,用指示剂法或电位滴定法进行滴定.     

驱动电路一致性对光纤陀螺用SLD光源特性的影响

针对目前同批次驱动电路对同一光源控制效果存在差异的问题,开展器件一致性对光纤陀螺用SLD光源特性影响的研究,找到影响驱动电路一致性的关键部位,并提出解决方案,从而规范驱动电路制作过程。理论分析结果表明:造成温控电路差异的因素由大到小依次是惠斯通桥两臂电阻偏差、热敏电阻与同臂电阻偏差、正/负电源精度、运算放大器输入失调电压,以及积分电路的运放精度;造成恒流源电路差异的因素主要是指示器误差、驱动电流漂移误差和恒流源器件选配误差;通过采取元器件配对、调试、更换高精度器件等措施,可消除或大幅降低上述电路差异。试验结果证明,按照理论规范生产的驱动电路板一致性显著提高,可达到同类进口驱动电路的水平。     

Ultrafast Magnetization Precession in Perpendicularly Magnetized L1_0-MnAl Thin Films with Co_2 MnSi Buffer Layers

Perpendicularly magnetized L1₀-MnAl thin films with Co₂ MnSi bufer layers were prepared on GaAs(001) substrates by molecular-beam epitaxy(MBE).The samples with high crystalline quality show a maximum uniaxial perpendicular magnetic anisotropy constant of 1.4×10⁷ erg/cm³.Ultrafast spin dynamics with a magnetization precession frequency up to 200 GHz was investigated by using time-resolved magneto-optical Kerr effect(TRMOKE) measurements,from which the G...     

Unusual Anomalous Hall Effect in a Co_2MnSi/MnGa/Pt Trilayer

An ultra-thin Co₂MnSi(0.5 nm)/Mn Ga(1.5 nm) bilayer capped with Pt(5 nm) has been successfully grown by molecular-beam epitaxy.It is a potential candidate of synthetic antiferromagnets due to antiferromagnetic coupling between Co₂MnSi and MnGa,which is a promising skyrmion-racetrack-memory medium without skyrmion Hall effect after capping with a Pt layer.Unusual humps in transverse Hall resistance loops are clearly observed in the temperature range from 260 to 400 K.This an...     

高质量稀磁半导体(Ga,Mn)Sb单晶薄膜分子束外延生长

理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga,Mn)Sb及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性, 近年来受到了特别关注. 但是, 由于(Ga,Mn)Sb薄膜生长窗口窄, 纯相(Ga,Mn)Sb薄膜制备比较困难, 迄今关于这类材料的研究报道为数不多. 本文采用低温分子束外延的方法, 通过优化生长条件, 成功制备出厚度为10 nm, Mn含量在0.016至0.039之间的多组(Ga,Mn)Sb薄膜样品. 生长过程中反射式高能电子衍射原位监测和磁性测量都表明没有MnSb等杂相的偏析, 同时原子力显微镜图像表明其表面形貌平滑, 粗糙度小. 通过生长后退火处理, (Ga,Mn)Sb薄膜的最高居里温度达到30 K. 此外, 本文研究了霍尔电阻和薄膜电阻随磁场的变化关系, 在低温下观测到明显的反常霍尔效应.     

锆(Ⅳ)-桑色素-曲拉通显色反应的研究与应用

本文提出在曲拉通Ｘ－１００存在下,以桑色素为显色剂吸光光度法测定痕量锆的新方法。在「Ｈ＾＋」＝０．５－２．０ｍｏＬ的ＨＣｌ介质中形成三元配合物,其最大吸收波长为λｍａｘ＝４３０ｎｍ,摩尔吸光系数ε４３０＝９．８×１０＾４Ｌ·ｍｏｌ＾－１·ｃｍ＾－１,锆量在０－１５μｇ／２５ｍＬ范围内遵守比耳定律,该方法简捷、准确,应用于铝合金中痕量锆的测定,共存离子不干扰,测定令人满意。     

高温煤气净化高效脱氯剂的研究

在固定床反应器中对四种高温煤气脱氯剂进行了筛选研究。在５５０℃温度下,所有被测试的脱氯剂都能迅速与ＨＣｌ气体发生反应,在反应开始的一段时间同都能使混合气体中的ＨＣｌ从０．１％降低到０．０００１％以下。在相同的反应条件下,ＣＮ１脱氯剂具有最高的穿透时间,穿透氯容量和饱和氯容量。在３００￣７００℃之间,温度越高,ＣＮ１脱氯剂吸收氯容量越高,反应性越好,在高空速下,脱氯剂脱氯效果明显下降。