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Transparent conducting ZnO:AI thin films with good adhesion and Iow resistivity have been prepared on organic substrates and Coming 7059 glass substrates by r.f. magnetron-sputtering technique at Iow substrate temperature (25-210℃). Structural and photoelectric properties of the deposited films are investigated. The deposited films are polycrystalline with hexagonal structure and a preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrate. Only the (002) peak is observed.High quality films with resistivity as Iow as 1.0 x 10- 3Ω@ cm and 8.4 x 10- 4Ω@ cm, the average transmittance over 74% and 85% in the wavelength range of the visible spectrum have been obtained on different substrates. 相似文献
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用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(F
关键词:
xZn1-xO薄膜')" href="#">MgxZn1-xO薄膜
射频磁控溅射
退火 相似文献
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Effects of barium on the nonlinear electrical characteristics and dielectric properties of SnO2-based varistors
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The effects of barium on electrical and dielectric properties of the SnO_2·Co_2O_3·Ta_2O_5 varistor system sintered at 1250℃ for 60min were investigated. It is found that barium significantly improves the nonlinear properties. The breakdown electrical field increases from 378.0 to 2834.5V/mm, relative dielectric constant (at 1kHz) falls from 1206 to 161 and the resistivity (at 1kHz) rises from 60.3 to 1146.5kΩ·cm with an increase of BaCO_3 concentration from 0mol% to 1.00mol%. The sample with 1.00mol% barium has the best nonlinear electrical property and the highest nonlinear coefficient (α=29.2). A modified defect barrier model is introduced to illustrate the grain-boundary barrier formation of barium-doped SnO_{2}-based varistors. 相似文献
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张玉虎 王华磊 柳敏良 周小红 郭文涛 G.de Angelis N.Marginean A.Gadea D.R.Napoli M.Axiotis C.Rusu T.Martinez 许甫荣 《中国物理 C》2004,28(9):907-913
利用重离子熔合蒸发反应和在束γ谱学实验方法,研究了双奇核184?Au的高自旋态能级结构.扩展了基于πh9/2ν7/2–[514]和πi13/2νi13/22准粒子组态下的转动带能级纲图,建立了两个转动带之间以及πh9/2ν7/2-[514]带与基态的谱学连接.从而确定了πi13/2νi13/2带能级的自旋和宇称,证实了此转动带在低自旋区出现旋称反转.分析了πi13/2νi13/2带和相邻核转动带的准粒子顺排特征,指出此带的第一回弯以及相邻核转动带在低频观测到的顺排异常可能与h9/2质子顺排有关. 相似文献