硅酸盐中桥联键的机制及其性质的CNDO/2法研究

法计算模型,分析了桥联键的成键机制,解释了硅酸盐的通常性质。以体系总能量随桥角变化关系,解释了硅酸盐矿物及沸石分子筛中桥角Si-O-T出现的范围和几率。 由计算结果还发现,桥氧上具有较高的非键p-电子电荷Q_o~n,并随桥氧的第三配原子性质和距离R(M-O~(br))而变化,使桥氧具有授受电子的双重性质。在此基础上,探讨了沸石分子筛的碳离子催化活性机理,提出了锁与匙匹配原子对的催化活性中心的新观点。     

弹力常数光谱基频和有效核电荷

一、弹力常数和有效核电荷对于一个异核 AB 键,其键能可用下式表示: 而键能 D(A-B)与键合原子间势函数 V_(AB)间存在如下关系:     

用于乙烯聚合的钛(Ⅲ)催化作用机理

在计算钛(Ⅲ)—氯络离子DSPF微扰d能级的基础上,提出一种乙烯聚合的钛催化作用机理。对不同构型的钛(Ⅲ)—氯络离子的催化活性进行了讨论,预示缺位四方单锥构型应具有最高的催化活性。对载体化的Ziegler-Natta催化剂的高活性,提出了一个链式多核钛原子簇催化机理。     

掺氟汞系1223相的结构与超导电性

合成了掺氟汞基铜酸盐超导体 .研究证明氟进入了 1 2 2 3相 ,占据元胞中O( 3)的晶格位置 .掺氟烧结而不退火样品的超导临界温度Tc 为 1 33.8K ,比不掺氟烧结标准样品的Tc 提高约 2 2K ,显示氟掺杂能够使样品中载流子浓度nh 不经退火一步接近最佳值 .F代O( 3)收缩了CuO2 面与电荷储存层间距离及氟的电负性比氧大是提高Tc 的主要原因 .     

电负性的近代发展

自从电负性概念被提出以来,已经超过半个世纪了。现在它已成为化学科学中应用最广的概念之一,不少人对这个问题作过综述。然而六十年代之后,随着量子化学的发展,有关电负性的理论和应用方面都取得了不少成就。在国外是一个重新引起兴趣的课题,所以有必要就这个问题近代发展的主要方面予以综述。     

掺氟高温超导体的化学问题

在综述掺氟高温超导体的主要类型与性质的基础上，分析了其中存在的无机结构及固态合成的化学动力学问题，探讨制备新型掺氟及全氟化物的高温超导体的可能性。     

金—硫脲络合物成键及结构性能的研究

通过实验合成了金一硫脲络合物,测定了它的红外与紫外光谱,并用cNDO/2法进行了计算。由波谱测试及量化计算的结果分析,确定了金一硫脲络合物的结构为平面直线型分子。Au—S间的键合是强极性的σ—配位键。     

高Tc氧化物超导体Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O(F)的“不可逆线”

研究了高T_c氧化物超导体Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O(F)体系的“不可逆线”。发现不可逆磁场H^*<120Oe时,H^*=1590(1—t)^3/2;当120Oe*<1000Oe时,H^*=35700(1—t)^3/2-2480。指出H^*(T)曲线是一个磁通格子熔化线,在曲线以下属于磁通蠕动区;在H^*(T)与H_c2(T)之间属于磁通格子液态区,即磁通流动区。 关键词：     

化学键理论对研究高T_C超导材料的作用

本文从化学键的观点出发综述了近年来高温超导体的合成。结构及性能关系,特别强调了化学在研究超导材料中的作用。     

碱金屬元素的电子亲合能及电負性的估算

测定电子亲合能的方法虽多,由于实验困难,故元素的电子亲合能数据尚少,且可靠性较差。因此有人由理论直接估算电子亲合能,如 Glocker和Edlén的工作。 slater计算原子电离能的方法经修改之后,虽能计算原子的各级电离能,却不能外推至负离子,而计算电子亲合能。我们认为无论是slater或经修改的方法都是分析原子