全文获取类型
免费 | 0篇 |
国内免费 | 33篇 |
专业分类
化学 | 33篇 |
出版年
2014年 | 1篇 |
2013年 | 1篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 1篇 |
2008年 | 1篇 |
2007年 | 1篇 |
2006年 | 1篇 |
2005年 | 1篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 1篇 |
2001年 | 1篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有33条查询结果,搜索用时 0 毫秒
2.
CdS量子点敏化ZnO纳米棒阵列电极的制备和光电化学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱研究了不同CdS循环沉积次数及不同沉积浓度对复合电极的光电性能影响.结果表明,前驱体浓度都为0.1mol·L-1且沉积15次敏化后的ZnO纳米棒阵列电极光电性能最好.与单纯的ZnO纳米棒阵列电极和单纯的CdS量子点电极相比,其光电转换效率显著提高,单色光光子-电流转换效率(IPCE)在380nm处达到76%.这是因为CdS量子点可以拓宽光的吸收到可见光区,并且在所形成的界面上光生载流子更容易分离.荧光光谱实验进一步说明了光电增强的原因是,两者间形成的界面中表面态大大减少,有利于减少光生电子和空穴的复合. 相似文献