MgB2交流响应teff的电流效应

本文并从磁通守恒方程出发,详细求导了Slab样品(厚度为d)交流磁化率的测量方程,并以MgB2为例,测量了在不同外场H和交流信号的频率γ交流磁化率,求得Ueff和J的关系实际上是满足Zeldov关系,实验结果和理论假设完全自洽.     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

带干扰的Erlang(2)风险模型的不破产概率

本文讨论了带干扰的Erlang(2)风险模型,通过构造一个延迟更新过程,我们得到了不破产概率满足的积分-微分方程,进而得到了不破产概率的明确表达式．     

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

高导电性ML(TCNQ)_n(n=2,3)盐的磁性研究

测定了高导电性ML(TCNQ)n盐的ESR谱和变温磁化率数据,结果表明,在某些ML(TCNQ)_3中存在电子由[ML]~(2+)至(TCNQ)_8~(2-)的转移,使之成为n-型半导体。     

表面涂覆CeO2对Co—40Cr合金氧化行为的影响

研究了表面涂覆ＣｅＯ２对Ｃｏ－４０Ｃｒ合金在１０００℃、空气中恒温氧化和循环氧化的影响。并用扫描电镜／能谱（ＳＥＭ／ＥＤＸＳ）、电子探针（ＥＰＭＡ）、高分辩率显微镜（ＨＲＥＭ）等测试手段对氧化膜的形貌和成分进行了观察了监测。结果表明，涂覆ＣｅＯ２后极大地提高了合金的抗循环氧化性能。研究表明，涂覆的ＣｅＯ２主要以细小颗粒 蒿度弥散存在于氧化膜的外表面，并且主要分布于氧化物晶界上，其中Ｃ     

薄层树脂相吸光光度法测定痕量钴的研究

提出了用薄层树脂相通过光度法测定痕量钴的新方法。本法具有灵敏度高，选择性即，快速等特点。钴离子（Ⅱ）与４－（５－氯－二吡啶）偶氮］－１，３－二氨基苯（简称５－Ｃｌ－ＰＡＤＡＢ）生成有色稳定配合物，将其富集在Ｈ＾＋型（７３２＾＃）。阳离子交换树脂上，制作成薄层直接测定，λｍａｘ＝５７１ｎｍ。本法既克服了需特制１ｍｍ比色皿的困难，又提高了测定精密度，使推广树脂相光度法成为可能。用本法实测了天然水中痕量     

四元缔合物体系薄层树脂相分离与光度法联用测定痕量钴

提出了在酸性条件下 (pH=5.0),利用阳离子交换树脂-丁二酮肟-碘-钴四元体系,通过薄层树脂相光度法测定钴的新方法。本法灵敏度高 (e454=1.7105L/molcm),比水相光度法提高14倍,精密度理想 (测定2.0礸/ml Co(II) 6次,RSD=1.3%),选择性好。实测药品VB12及天然水中钴,线性范围0.024~2.0礸/ml (定容50ml),检出限10.4ng/ml。     

表面分子印迹技术在分析化学中的应用研究进展

表面分子印迹聚合物因其高效的靶向识别能力、丰富的活性结合位点和优越的吸附/解吸附动力学性能,日益受到分离和分析化学领域研究者的广泛关注。本文系统介绍表面印迹技术的概况,如机理、分类、特点等,重点综述了表面印迹技术在环境分析、食品分析、生物分析和医药分析等领域的研究运用现状,并对表面印迹技术潜在的研究方向和应用前景进行了展望。     

原位合成H2O2在水处理技术中的应用研究进展

从过氧化氢(H₂O₂)的原位生成技术角度总结了近年来利用原位合成H₂O₂处理水中污染物的研究,分析了当前可充当氢源材料的种类及不同的氢源材料对于提高H₂O₂产率的影响,以及不同的催化剂材料和催化反应环境提高H₂O₂利用率对污染处理效果的影响因素,并对原位合成H₂O₂在水处理领域中面临的挑战和发展前景做了展望,从而为该技术的大规模应用提供指导和借鉴。