用X射线光电子能谱研究Cu/SiO2加氢催化剂

用X射线光电子能谱(XPS)研究了Cu/SiO_2加氢催化剂,包括催化剂制备过程中存在的铜氨络合物—Cu(NH_3)_4R_2的结构、催化剂中活性组分铜和载体硅胶间的相互作用、催化剂制备各阶段铜价态的变化、制备条件和催化活性的关系及催化剂在使用中失活的原因。讨论了催化剂制备过程中的反应机理。     

不同焙烧温度下Cr-P-SiO2催化剂表面特征的X射线光电子能谱的研究

用X射线光电子能谱(XPS)测定了五种铬化合物、六种磷化合物的2p光电子结合能值,记录了制备条件相同但焙烧温度不同的一系列P-SiO_2,Cr-SiO_2,Cr-P-SiO_2催化剂样品的XPS谱图。由这些谱图可以看出催化剂的Cr_(2p),P_(2p),O_(1s),Si_(2p)光电子峰结合能的变化和谱峰强度的变化与焙烧温度有关;在焙烧过程中,催化剂的活性组分铬由Cr(Ⅵ)变为Cr(Ⅲ),P_(2p),0_(1s),Si(2p)光电子峰的强度也发生变化。我们还观察到在X射线辐照下或Ar~+离子刻蚀下的催化剂中活性组分铬的还原现象。     

化学修饰电极的研究 Ⅵ.聚乙烯二茂铁膜电极的表面表征和组成

本文研究了用等离子体法在玻璃炭上制备聚乙烯二茂铁(PPVF)膜电极的伏安行为及其XPS分析.结果表明PPVF膜电极的伏安行为和组成均与其制备条件有关.PPVF膜电极的二茂铁与二茂正铁之间的氧化还原反应是在电极上快速进行电荷转移的电化学过程.PPVF膜电极的伏安特性受膜中电活性物量、膜的厚度和组成的影响.伏安法和XPS法都可以用来表征PPVF膜制备条件的变化.     

硫化镉-硫化亚铜薄膜电池的x-射线光电子能谱分析

用x-射线光电子能谱法观察了不同条件下处理的CdS-Cu_2S薄膜电池样品Cu_2S层中铜的价态、Cd(Ⅱ)含量的相对变化以及CdS层中铜离子的扩散情况,对于研究此类电池电性能改变的原因提供了有用的线索。     

反相液相色谱中一些染料的结构与保留值的关系

引言 Horvath用疏溶剂理论解释反相液相色谱(以下简称RPLC)的保留过程。他认为流动相在RPLC的过程中起主要的作用,亦即被冼脱物的疏水效应或疏溶剂效应是保留的推动力。Brauman,Haky及Youllg,Hammer,Gago叙述了表示溶质疏水度的logP与在RPLC上测得的容量因子logk′之间的相关关系,可由溶质的logP值     

用XPS方法研究Cr-P-SiO2催化剂的表面特征和催化性能

以XPS法证明了铬与磷的配比及原料铬的价态是影响Cr-P-SiO_2催化活性的最主要因素。考察了在反应过程中催化剂表面状态的变化。从P_(2p)光电子谱带强度的增加,发现催化剂中的磷在反应过程中逐渐向表面迁移,同时从Cr_(2p~(3/2))光电子谱的解迭中发现在反应过程中催化剂表面Cr(Ⅲ)的量逐渐在增加。研究了随着这些变化而引起的催化活性的差异,认为磷向表面迁移是Cr-P-SiO_2催化剂永久性失活的主要原因。