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国防科技大学研制的天河超算系统7次荣登世界超算TOP500排行榜第一名。面对高效能发挥超算系统性能的实际需求,天河团队抽取大型科学与工程计算中的共性核心计算方法,根据天河超算系统的特点设计与实现了可扩展并行算法,研制了天河超算系统并行算法库,是天河超算系统应用支撑环境的重要组成部分。本文首先对天河超算系统的发展历程和系统结构等内容进行回顾;随后,对网格处理算法库、偏微分方程离散求解算法库、矩阵计算算法库、粒子输运计算库、聚合通信算法库以及深度学习算法库等并行算法库的架构、功能以及性能进行重点介绍;最后,对天河超算系统上典型应用软件的简要总结显示:并行算法库可有效支撑典型应用软件的快速开发与性能优化。 相似文献
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硫酸介质中Pd电极氧化物成长过程的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用实时交流阻抗测量与激光扫描微区光电技术相结合的现场方法,对铅电极在硫酸溶液中Pbo和PbO2的生长过程进行了研究。发现电极在PbO的形成区中氧化5min后,电极欧姆阻抗和t1/2呈一直线关系,这表明PbO是均匀分布在电极表面而成长的,激光扫描微区光电流的实验进一步证实了这一结论。实验中还发现PbO2在PbO层中是局部发生与发展的。 相似文献
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采用超声-微波水热的方法制备羟基磷灰石过程中添加FeCl3.6H2O,得到对铅(Pb)、镉(Cd)、砷(As) 均具有去除能力的弱晶态掺铁羟基磷灰石(Fe-HAP)材料。通过X射线衍射、X射线光电子能谱、比表面积分析等研究了Fe-HAP的结构性质,并探究了不同合成工艺下对吸附As(Ⅴ)、Pb2+、Cd2+的影响,并通过设计正交实验对各因素进行分析评估。结果表示:对As(Ⅴ)的去除,最佳掺铁量为40%、pH为9.5、超声-微波时间为15min,最大饱和吸附量为49.4 mg/g;对Pb2+、Cd2+的去除,最佳掺铁量为20%、pH为11、超声功率为200W、超声-微波时间为15min,最大饱和吸附量为1000mg/g、339.3 mg/g。正交试验验证表明Fe/(Fe+Ca)摩尔比是影响材料吸附Pb2+、Cd2+的最主要的因素;而对于吸附As(Ⅴ),合成pH的影响最大。Fe-HAP对Pb2+、Cd2+、As(Ⅴ)的去除归因于吸附-沉淀作用。 相似文献
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电化学沉积是半导体薄膜制备的一种简便方法,常用于Ⅱ-族化合物半导体薄膜的制备.通过电沉积条件的适当改变可成功地在导电衬底上制备半导体纳晶薄膜[1].CdSe薄膜作为一种透光性好、导电性好的半导体材料,可进行光学性能和光电性能方面的研究,而半导体纳晶多孔电极的光电化学特性与体材料之间有很大不同.本文采用电化学沉积法制备了CdSe纳晶薄膜并研究了其性能,通过扫描隧道显微镜(STM)形貌分形分析进一步研究其沉积机理. 相似文献
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