GaAs-绝缘薄膜界面和金属-绝缘薄膜-半导体(MIS)结的特性

对Si-SiO2系统广泛而深入的研究和器件的平面技术的发展,导致了Si金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSPET)及其集成电路(IC)的辉煌成就.GaAs的电子迁移率比Si高五倍多,预期GaAs金属-绝缘薄膜-半导体场效应晶体管(MISFET)可工作于更高频率,其IC可应用于更高速度.以往十多年,对GaAs-绝缘薄膜界面和MIS结的特性进行了研究(见文献[1]),取得了一定成果,但因研究对象相当复杂,还未能在FET及其IC方面取得突破.与此同时,对GaAs的金属-半导体(M-S)界面和结的特性也进行了研究,目前已在一系列GaAs微波器件包括金属-半导体接触场效应…     

纳米抗菌剂的研究进展

纳米抗菌剂是一种新型高效的抗菌药物,现已逐步应用于纺织、建筑、医疗等各个行业中。传统抗菌方法存在着安全性差、灭菌时间长、操作不方便等缺点,纳米抗菌剂具有使用安全、方便,稳定性好,抗菌谱广和抗菌效力强等优点。综述了纳米抗菌剂的发展概况,展望了纳米抗菌剂发展的主要趋势。     

制备氯微素的有用中间体的合成及若干有关的缩合

1. 本文叙述了从α-苯甲醯-β-乙氧基丙烯酸乙酯开始经过四个步骤合成了制备氯霉素的有用中间体--dl-threo-3-氯代-3-苯基-2-氨基丙醇盐酸盐(Ⅳ)。2. 用 Reformatsky 反应合成了α-甲氧甲基-β-羟基-β-苯基丙酸甲酯(Ⅹ),虽然产量甚小,但说明了β位置含有甲氧基的α溴酯化合物可以应用于 Reformatsky 反应,而所得的产物为相应的β羟基酸酯而非不饱和酸酯。3. 进行了β羰基醯胺与甲醛的缩合,结果所得者为二分子β羰基醯胺与一分子甲醛缩合成戊二酸醯胺衍生物,而未取得羟甲基化合物。 4. 对硝基苯甲醯乙酸乙酯与过量的甲醛进行缩合,结果获得双羟甲基化合物,αα′-双-羟甲基-对硝基苯甲醯乙酸乙酯(ⅩⅧ)。     

X射线自由电子激光试验装置

X射线自由电子激光试验装置(以下简称"SXFEL试验装置")是中国第一台X射线相干光源,其输出波长小于9 nm.这台基于0.84 GeV直线加速器、以掌握装置相关技术和实验演示种子型自由电子激光(FEL)级联与短波长回声型FEL为主要目标的自由电子激光装置,于2020年11月通过国家验收.本文将介绍SXFEL试验装置的...     

制备氯霉素的中间体的合成

1.本文叙述从苯-乙烯酮或对硝基苯乙烯酮开始用甲氧汞化反应合成α-溴-β-甲氧基-苯丙酮或α-溴-β-甲氧基-对硝基苯丙酮。此两种溴化物均与邻苯二甲酰亚胺钾作用生成单及双邻苯二甲酰亚胺衍生物。 2.α-邻苯二甲酰亚胺-β-甲氧基-对硝基苯丙酮以异丙醇铝还原获得DL-threo-l-对硝基苯-2-邻苯二甲酰亚胺-3-甲氧基丙醇,其构型的确定系制成其醋酸酯后与已知物比较而证明。 3.β-甲氧基-对硝基苯丙酮与溴在醋酸中作用不能取得单溴化合物而获得α,β-双溴对硝基苯丙酮。后者与邻苯二甲酰亚胺钾生成双-邻苯二甲酰衍生物。此化合物以异丙醇铝还原获得1-对硝基苯-2.3-双邻苯二甲酰亚胺丙醇。     

α-硼取代羰基类化合物的合成进展

硼取代羰基类化合物传统被认为是热力学上不稳定的化合物,容易发生1,3-硼迁移.近年来,随着对sp3杂化的硼或是四配位硼基团的研究深入,合成稳定且可分离的α-硼取代羰基类化合物的方法被逐渐发展.这些方法包括利用重氮酸酯、硫叶立德等卡宾前体对硼烷的插入反应, α,β-不饱和羰基类化合物的自由基硼氢化反应,以及含硼化合物的后阶段结构修饰反应等.根据不同的反应类型,对近年来合成α-硼取代羰基类化合物的反应进行了综述,并对现有的挑战及未来的研究方向进行了讨论.