硫掺杂氧化锡纳米材料的固相合成及其可见光降解百草枯

以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为模板, 采用低温固相反应法合成了硫掺杂二氧化锡(S-SnO₂)纳米粉体材料, 并用XRD、XPS、SEM、UV-Vis、FTIR及HR-TEM等技术对材料进行了表征, 探讨了S掺杂SnO₂纳米材料对百草枯的可见光降解性能, 分析了S掺杂效应的作用机理。结果表明, 采用固相反应法所得SnO₂及S-SnO₂纳米材料的禁带宽度变窄, SDBS对材料的表面结构具有一定的调控作用。S是以S(Ⅳ)和S(Ⅵ)的形式进入SnO₂晶格形成Sn_1-xS_xO₂晶体结构而不是进入SnO₂晶格间隙, Sn-O-S键的弯曲振动峰介于930~980 cm^-1之间。S的掺杂使SnO₂纳米材料表面活性增强, 光催化降解百草枯的活性依次为SnO₂ 2(SDBS) 2 2(SDBS), 2 h内, S-SnO_2(SDBS)样品对除草剂百草枯的光催化活性达95.2%, 其主要原因是S-SnO_2(SDBS)材料表面有更多的羟基和进入SnO₂晶格的S, 有利光生电荷的有效分离。     

硫掺杂氧化锡纳米材料的固相合成及其可见光降解百草枯(英文)

以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为模板,采用低温固相反应法合成了硫掺杂二氧化锡(S-Sn O2)纳米粉体材料,并用XRD、XPS、SEM、UV-Vis、FTIR及HR-TEM等技术对材料进行了表征,探讨了S掺杂Sn O2纳米材料对百草枯的可见光降解性能,分析了S掺杂效应的作用机理。结果表明,采用固相反应法所得Sn O2及S-Sn O2纳米材料的禁带宽度变窄,SDBS对材料的表面结构具有一定的调控作用。S是以S(Ⅳ)和S(Ⅵ)的形式进入Sn O2晶格形成Sn1-xSxO2晶体结构而不是进入Sn O2晶格间隙,Sn-O-S键的弯曲振动峰介于930~980 cm-1之间。S的掺杂使Sn O2纳米材料表面活性增强,光催化降解百草枯的活性依次为Sn O2Sn O2(SDBS)SSn O2S-Sn O2(SDBS),2 h内,S-Sn O2(SDBS)样品对除草剂百草枯的光催化活性达95.2%,其主要原因是S-Sn O2(SDBS)材料表面有更多的羟基和进入Sn O2晶格的S,有利光生电荷的有效分离。